高速I/O接口的低电容ESD保护设计

caroline11

本文介绍了一种130 nm CMOS工艺中高速输入/输出(I/O)接口电路的静电放电(ESD)保护设计。首先，设计制作了不同尺寸的静电放电保护二极管，以评估其在千兆赫频带的静电放电水平和寄生效应。利用器件尺寸对ESD鲁棒性和寄生电容的影响，设计了一般收发接口电路的全芯片ESD保护方案。此外，还提出了一种ESD保护方案。