川土微电子 | 隔离电源的辐射抑制设计参考（二）

Vasse

VCC 去耦电容

芯片内置的微型变压器的频率高达约 70MHz，短时间内如此大频率的切换，将引起较大的 dv/dt 及di/dt，将产生一定的电磁辐射。 微型变压器的原副边电流路径的环路面积影响着辐射干扰的强弱，电流环路越大，辐射越强。 PCB 布线时需要最大程度地缩小电流路径的环路面积。

输入 VCC 及输出侧 VISO 的储能电容及耦合电容位置放尽可能摆放在靠近芯片的管脚位置， 以减少环路面积和 PCB 走线的寄生电感， 一般应控制在 2mm 以内。 储能电容 10μ F 应放在最外侧，去耦电容要放在靠近芯片的位置。 如下图 4 和图 5 所示。

当需要在供电电源线和地线中放置过孔，过孔的摆放位置在电容相对于芯片管脚的外侧，而非放置在电容和芯片之间，以减少过孔寄生电感的影响，如下图 6 和图 7 所示。如果 PCB 空间允许应多放置几个过孔，这样过孔的寄生电感相当于并联，进一步减少过孔的寄生电感带来的影响。

变压器的频率高达 70MHz，芯片在开关期间需要初次级供电端 VCC对 GNDA 以及 VISO 对 GNDB 需要放置容量约 10μ F 储能电容来提供开关期间的瞬间大电流。此外， 需要合适的去耦电容来滤除高频噪声。 去耦电容一般选用 MLCC 多层陶瓷电容，但陶瓷电容存在着寄生电感，频率越高，越不能忽略 ESL 的影响。 MLCC电容的等效图如下所示。

ESR： 电容器电介质或者电极损耗(高频)产生的寄生电阻；

ESL： 电容的分布电感以及 PCB 走线的寄生电感。

某 10nF/10V MLCC 电容相应的阻抗-频率如图 9 所示：

从上图可以看到，当频率较低时，电容的感抗远小于容抗，表现为容抗特性，且阻抗值较大；当超过自振频率时，电容的感抗大于容抗，表现为感抗特性，阻抗随着频率的增加而增加。因此，在选择器件时， 去耦电容的自振频率应在 70MHz 及多倍频附近。 也可以用几个不同容量的去耦电容，这样可以覆盖更宽的频率。

从上图可以看到，当频率较低时，电容的感抗远小于容抗，表现为容抗特性，且阻抗值较大；当超过自振频率时，电容的感抗大于容抗，表现为感抗特性，阻抗随着频率的增加而增加。因此，在选择器件时， 去耦电容的自振频率应在 70MHz 及多倍频附近。 也可以用几个不同容量的去耦电容，这样可以覆盖更宽的频率。

从上图可以看到，当频率较低时，电容的感抗远小于容抗，表现为容抗特性，且阻抗值较大；当超过自振频率时，电容的感抗大于容抗，表现为感抗特性，阻抗随着频率的增加而增加。因此，在选择器件时，去耦电容的自振频率应在70MHz及多倍频附近。也可以用几个不同容量的去耦电容，这样可以覆盖更宽的频率。

除了上述利用分立器件外，也可以通过PCB的VCC平面层与地层之间拼接电容，形成VCC去耦电容。PCB拼接电容的分布电感较小，高频特性优于分立器件，可以覆盖相对较宽的频率。PCB拼接电容于PCB板上的分立器件的电容共同起到去耦作用。例如PCB第一层GNDA和第二层VCC之间的厚度为0.2mm，VCC和GNDA的交叠面积为0.0021m2。

按照上述计算方式，得到拼接电容约为C=4.5*8.544*0.0021/0.0002pF，=403.7pF。