NAND FLASH版本核心板使用说明

caroline11

前言
NAND FLASH版本和eMMC版本核心板使用方法基本一致。本文主要描述NAND FLASH版本与eMMC版本核心板在使用方面的不同之处，相同之处将不重复描述。

1.U-Boot编译
进行U-Boot编译选项配置时，请执行如下命令。

Host# make ARCH=arm CROSS_COMPILE=arm-linux-gnueabihf- am335x_evm_nandboot_config
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图 1

我司提供经过验证的U-Boot镜像文件位于产品资料“4-软件资料/Linux/U-Boot/image/u-boot-2017.01-gad3370e-v2.1/”目录下，分别为MLO-nand、u-boot.img-nand。系统启动卡制作完成后，请将MLO-nand和u-boot.img-nand文件复制到系统启动卡BOOT分区下，备份原有的eMMC版本MLO、u-boot.img文件，并将MLO-nand和u-boot.img-nand文件重命名为MLO、u-boot.img。

图 2

Host# sudo cp MLO-nand MLO

Host# sudo cp u-boot.img-nand u-boot.img

图 3

2.基础设备树文件编译
基础设备树源文件为内核源码“arch/arm/boot/dts”目录下的tl335x-evm-nandflash.dts和tl335x-evm-nandflash-hdmi.dts，重新编译基础设备树时请使用此文件。我司提供经过验证的基础设备树文件为产品资料“4-软件资料/Linux/Kernel/image/linux-rt-4.9.65-gd8e636c-v2.1/”目录下的tl335x-evm-nandflash.dtb和tl335x-evm-nandflash-hdmi.dtb，请将其分别复制到系统启动卡rootfs分区以及rootfs-backup分区的boot目录下。

图 4

请执行如下命令将tl335x-evm.dtb软链到tl335x-evm-nandflash.dtb文件。tl335x-evm-nandflash.dtb支持LCD显示，如需使用HDMI显示，则将tl335x-evm.dtb软链到tl335x-evm-nandflash-hdmi.dtb文件即可。

Host# sudo rm tl335x-evm.dtb

Host# sudo ln -s tl335x-evm-nandflash.dtb tl335x-evm.dtb

Host# ls -l

图 5

使用替换了U-Boot和基础设备树文件的Linux系统启动卡启动评估板，进入文件系统执行如下命令可查看到NAND FLASH分区信息，即说明文件替换成功。

Host# cat /proc/mtd

图 6

3.固化Linux系统
本章节介绍Linux系统固化过程，包括固化U-Boot到SPI FLASH和固化文件系统到NAND FLASH。固化成功后，评估板即可从SPI FLASH启动U-Boot，然后从NAND FLASH加载内核、设备树和文件系统。

SPI FLASH、NAND FLASH分区说明
进入评估板系统后执行如下命令，查看SPI FLASH和NAND FLASH分区信息。

Target# cat /proc/mtd

图 7

固化Linux系统
Linux系统启动卡制作时，已将系统固化的脚本文件mknandboot.sh复制到了Linux系统启动卡文件系统的“/opt/tools/make-system”目录下。

图 8

执行如下命令进行一键固化。

Target# /opt/tools/make-system/mknandboot.sh
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图 9

脚本会进行如下操作：
擦除SPI FLASH、NAND FLASH。
将Linux系统启动卡BOOT分区中的U-Boot固化到SPI FLASH对应分区。
将Linux系统启动卡BOOT分区中的LOGO固化到NAND FLASH对应分区。
将Linux系统启动卡rootfs-backup分区中的文件系统boot目录下的内核镜像和基础设备树文件固化到NAND FLASH对应分区。
将Linux系统启动卡rootfs-backup分区中的文件系统固化到NAND FLASH对应分区。
用时约5~10min，Linux系统固化成功，同时串口调试终端打印提示信息。

备注：脚本文件会将设备树文件和内核镜像固化到SPI FLASH中，实际启动并不会从SPI FLASH中加载设备树和内核镜像。

4.从SPI+NAND FLASH启动系统
评估板断电，将Linux系统启动卡从评估板Micro SD卡槽中取出，根据评估底板丝印将拨码开关拨为10010（1～5），此档位为SPI FLASH启动模式。评估板上电，串口调试终端将会打印如下类似启动信息。

图 10

图 11

5.NAND FLASH读写测试
本章节对NAND FLASH的MTD11分区进行读写速度测试。MTD11是NAND FLASH的备用分区，一般存放小型文件系统，大小为32MByte。读写测试会将该分区内容擦除，请做好数据备份。

执行如下命令查询NAND FLASH分区，确认MTD11分区大小（读写请勿超出分区大小），将该分区内容擦除。

Target# cat /proc/mtd

Target# flash_erase /dev/mtd11 0 0

图 12

NAND FLASH写速度测试
进入评估板文件系统，执行如下命令对NAND FLASH进行写速度测试。

Target# time dd if=/dev/zero of=/dev/mtd11 bs=1024k count=30
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图 13

此处一共写30MByte测试数据到NAND FLASH的MTD11分区下，可看到本次测试的NAND FLASH写速度约为：30MB/8.24s=3.64MB/s。

NAND FLASH读速度测试
重启评估板，进入评估板文件系统，执行如下命令对NAND FLASH进行读速度测试。

Target# time dd if=/dev/mtd11 of=/dev/null bs=1024k count=30

图 14

此处从NAND FLASH的MTD11分区读取30MByte数据，可看到本次测试的NAND FLASH读速度约为：30MB/4.47s=6.71MB/s。