120V 升压 4A 峰值电流的高频高侧/低侧驱动器

sick

UCC27210 和 UCC27211 驱动器是基于广受欢迎的 UCC27200 和 UCC27201 MOSFET 驱动器，但性能得到了显著提升。峰值输出上拉和下拉电流已经被提高至 4A 拉电流和 4A 灌电流，并且上拉和下拉电阻已经被减小至 0.9Ω，因此可以在 MOSFET 的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率 MOSFET。现在，输入结构能够直接处理 -10 VDC，这提高了稳健耐用性，并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接。这些输入与电源电压无关，并且具有 20V 的最大额定值。

      UCC2721x 的开关节点（HS 引脚）最高可处理 -18V 电压，从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响。UCC27210（伪 CMOS 输入）和 UCC27211（TTL 输入）已经增加了滞后特性，从而使得到模拟或数字脉宽调制 (PWM) 控制器接口的抗扰度得到了增强。

      低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了 2ns 的延迟匹配。

由于在芯片上集成了一个额定电压为 120V 的自举二极管，因此无需采用外部分立式二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定功能，可提供对称的导通和关断行为，并且能够在驱动电压低于指定阈值时将输出强制为低电平。

特性
可通过独立输入驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
最大引导电压 120V 直流
4A 吸收，4A 源输出电流
0.9Ω 上拉和下拉电阻
输入引脚能够耐受 -10V 至 20V 的电压，并且与电源电压范围无关
晶体管-晶体管逻辑电路 (TTL) 或伪 CMOS 兼容输入版本
8V 至 17V VDD 运行范围（绝对最大值 20V）
7.2ns 上升时间和 5.5ns 下降时间（采用 1000pF 负载时）
短暂传播延迟时间（典型值 18ns)
2ns 延迟匹配
用于高侧和低侧驱动器的对称欠压锁定功能
可提供全部行业标准封装（小外形尺寸集成电路 (SOIC)-8 封装， PowerPADSOIC-8 封装，4mm × 4mm SON-8 封装以及 4mm × 4mm SON-10 封装）
-40℃ 至 140℃ 的额定温度范围
应用
针对电信，数据通信和商用的电源
半桥和全桥转换器
推挽转换器
高电压同步降压转换器
两开关正激式转换器
有源箝位正激式转换器
D 类音频放大器

UCC2721x 120V 升压、4A 峰值电流的高频高侧/低侧驱动器 数据表 (Rev. F)

适用于太阳能串式逆变器的 10kW 三相 3 级并网逆变器参考设计

三级三相 SiC 交流/直流转换器参考设计

用于三相逆变器系统的隔离式 IGBT 栅极驱动器评估平台参考设计

MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器电路的基本原理

Hybrid Battery Charger with Load Control for Telecom Equipments