杂质半导体

sick

杂质半导体是由本征半导体掺入杂质之后得到的半导体。按照掺入杂质的成分可以分为N型半导体和P型半导体。
也可以根据掺入杂质的份量来控制导电性能的强弱。
    N型半导体是在纯净的硅中掺入5价元素如磷。杂质原子会多出一个电子，多出的电子不受共价键的束缚，在
常温下就可以成为了自由电子。而杂质原子因在晶格上且缺少电子，故变成不能移动的正离子。在N型半导体中
由于掺入的杂质越多，自由电子远远多于空穴的数量，自由电子成为主要的载流子，为多子。
    P型半导体是在纯净的硅中掺入3价元素如硼。使之取代晶格中硅原子的位置。由于杂质原子在最外层有3个价电子
所以当他们与周围的硅原子形成共价键时，就产生了一个空位，当硅原子的最外层电子填补此空位时，其共价键中便
产生一个空穴，而杂质原子成为不可移动的负离子。在P型半导体中，空穴为多子，主要靠空穴导电。
    对于杂质半导体，多子的浓度越高，少子的浓度就越低。多子的浓度等于所掺杂质原子的浓度，因而它受温度的影
响很小；而少子是本征激发形成的，所以尽管其浓度很低，却对温度非常敏感，这将影响半导体器件性能。