基于PN8305的六级能效充电器套片方案

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芯朋微热门产品PN8305M/H同步整流转换器，与该公司PSR产品PN8386配合使用，轻松实现5V3A六级能效电源方案。

1.封装及脚位配置图
PN8386封装及脚位配置图

PN8386集成超低待机功耗准谐振原边控制器及690V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8386为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（264VAC）小于50mW。

PN8305封装及脚位配置图

PN8305包括同步整流控制器及N型功率MOSFET，用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8305内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率并降低芯片温度。

2.PCB及DEMO实物图

3.方案典型应用图

4.方案特性
·PCBA尺寸：42.5mm*41.3mm*20mm
·输入电压：90~265Vac全电压
·输出电压：5V
·输出电流：3A
·平均效率：≥81.4%(满足六级能效要求)
·高压启动待机功耗<75mW
·启动时间：<200ms(90Vac)
·拥有输出短路保护，输出过流保护，输出欠压保护(PCB端3.1V以下)，VDD过压保护，FB分压电阻开路短路保护，以及电流检测电阻Rcs开短路保护，过温保护。

5.测试数据

备注：在CC工作状态下且系统PCB电压低于3.1V时，PN8386会进入保护状态。

6.EMC测试
·EMI传导、辐射满足EN55022 Class B标准要求，裕量均大于6.0dB
·ESD满足IEC61000-4-2，8kV/15kV等级要求
·EFT满足IEC 61000-4-4: 2004，4kV等级要求
·Surge满足IEC 61000-4-5:2005，1kV等级要求
·交流绝缘满足3.75kV,60s, 漏电流小于5mA要求

7.应用要点

PN8386工作在DCM模式，忽略传输瞬态Tr和Tf，导通时间、去磁时间和振荡时间分别为：

PN8386在T2时间内间接采样输出电压信号，为减小漏感振荡对采样的影响，T2时间应足够长(5V3A应用建议大于3.2us)：

备注：电源在小负载工况下，PN8386的Vcs=0.17V以避免音频噪音。
PN8305须在T2时间内完成Trench MOSFET的开通和关断，其导通时间由RT电阻设定：

因此，RT电阻建议取值为：