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充分利用MSP430的FLASH储存空间

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发表于 2020-11-22 19:17:15 | 显示全部楼层 |阅读模式
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把MSP430的FLASH调了一下,发现我们可以利用430自身的FLASH,而不必去扩充EEROM来储存用户的数据。
用途:可用来存储A/D采集的数据,如果是常量就不要用这种方法了,直接"CONST"就行了,编译器自动储存到FLASH里。

具体方法:  先把完整的程序编好(不包括FLASH的),然后编译(我用的是IAR,CCE没试过),进行在线仿真(软仿真硬仿真均可),在菜单栏选择"View/Memory",然后就可以看到FLASH 各个地址的数据了,记下FLASH 还没有被程序占用的空间的地址,然后将FLASH的程序加到你的主程序里,再编译,检验你记下的地址是否被程序占用,如果占用就选择一个新的地址就可以了。然后就可以向FLASH里写数据了。

注意事项: 不要向有程序代码的空间写数据,那样会导致程序运行不正常;
           写数据之前要先擦除;
           不要向0段FLASH里写数据,那里面有你程序中的中断向量;
           最好选择每段的起始地址作为数据储存的首地址;

总结: 这种方法不需要扩充外存储器,可以降低系统的复杂度和系统功耗。
       我也不知道这种方法实用不实用,既然有这种方法,我就发上来了,分享一下^_^。
代码如下:
  1. // 注意时钟源的选择,flash_clk:500k(官方资料是250K—475K)
  2. //**********************************************************************************
  3. #include  <msp430x16x.h>
  4. #include"FLASH.H"
  5. //addr:FLASH的一个段首地址, value:数组名 count:要储存的数据个数
  6. //把FLASH地址、数组名 和要存储的数据的个数 赋给下面的函数,就可以写入了
  7. //**********************************************************************************
  8. void write_flash_char (unsigned int addr, char *array,int count) //写 char型数组
  9. {
  10.   char *Flash_ptr;                          // Flash pointer
  11.   int i;
  12.   Flash_ptr = (char *)addr;                 // Initialize Flash pointer
  13.   FCTL1 = FWKEY + ERASE;                    // Set Erase bit
  14.   FCTL3 = FWKEY;                            // Clear Lock bit
  15.   *Flash_ptr = 0;                           // Dummy write to erase Flash segment
  16.    FCTL1 = FWKEY + WRT;                     // Set WRT bit for write operation

  17.   for (i=0; i<count; i++)
  18.   {
  19.     *Flash_ptr++ = array[I];                // Write value to flash
  20.   }
  21.   FCTL1 = FWKEY;                            // Clear WRT bit
  22.   FCTL3 = FWKEY + LOCK;                     // Set LOCK bit
  23. }

  24. //**********************************************************************************
  25. void write_flash_int (unsigned int addr, int *array,int count) //addr为段首地址,写 int型数组
  26. {
  27.   int *Flash_ptr;                           // Flash pointer
  28.   int i;
  29.   Flash_ptr = (int *)addr;                   // Initialize Flash pointer
  30.   FCTL1 = FWKEY + ERASE;                     // Set Erase bit
  31.   FCTL3 = FWKEY;                             // Clear Lock bit
  32.   *Flash_ptr = 0;                            // Dummy write to erase Flash segment
  33.    FCTL1 = FWKEY + WRT;                      // Set WRT bit for write operation
  34.   for (i=0; i<count; i++)
  35.   {
  36.     *Flash_ptr++ = array[I];                 // Write value to flash
  37.   }

  38.   FCTL1 = FWKEY;                            // Clear WRT bit
  39.   FCTL3 = FWKEY + LOCK;                     // Set LOCK bit
  40. }

  41. //**********************************************************************************
  42. char read_flash_char0(unsigned int addr) //读单字节
  43. { char *address;
  44.   address=(char*)addr;
  45.   return *address;
  46. }

  47. //**********************************************************************************
  48. //把FLASH地址、数组名 和要读取的数据的个数 赋给下面的函数,就可以读入了
  49. void read_flash_char1(unsigned int addr,char *array,int count) //读一串数据
  50. { char *address=(char *)addr;
  51.   for(int i=0;i<count;i++)
  52.    {
  53.      array[I]=*address++;
  54.       
  55.    }
  56. }

  57. //**********************************************************************************
  58. int read_flash_int0(unsigned int addr) //偶地址,读一个字
  59. {
  60. int *address=(int *)addr;
  61. return *address;
  62. }

  63. //**********************************************************************************
  64. void read_flash_int1(unsigned int addr,int *array, int count) //读整形数组
  65. {
  66. int *address=(int *)addr;
  67. for(int i=0;i<count;i++)
  68.    {
  69.      array[I]=*address++;
  70.       
  71.    }
  72. }

  73. //**********************************************************************************
  74. void init_flash(void)
  75. {
  76. FCTL2 = FWKEY + +FSSEL1+FSSEL0 + FN0;   // (DCO)SMCLK/2 for Flash Timing Generator
  77. }
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