什么是F-RAM

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　　电子发烧友网中心提示：啥是F-RAM?F-RAM：铁电随机存储器。
　　相对于其它类型的半导体技能而言，铁电随机存储器(F-RAM)具有一些绝无仅有的特性。现已确定的半导体存储器能够分为两类：易失性和非易失性。易失性存储器包含静态随机存取存储器(SRAM)和动态随机存取存储器(DRAM)以及其他类型存储器。RAM类型存储器易于运用，高性能，但它们有着一起的弱点：在掉电的情况下会失掉所保存的数据。
　　F- RAM芯片包含一个锆钛酸铅[Pb(Zr，Ti)O3]的薄铁电薄膜，通常被称为PZT(图1)。PZT 中的Zr/Ti原子在电场中改变极性，然后耳聋治疗发生一个二进制开关。与RAM器材不同，F-RAM在电源被封闭或中止时，因为PZT晶体保持极性能保存其数据回忆。这种独特的性质让F-RAM变成一个低功耗、非易失性存储器。
　　F-RAM、ROM都归于非易失性存储器，在掉电情况下数据不会丢掉。新一代ROM，像EEPROM(可擦可编程只读存储器)和Flash存储器，能够被擦除，并屡次重复编程，但它们需要高电压写入且写入速度十分慢。根据ROM技能的存储器读写周期有限(仅为1E5次)，使它们不适合高耐性工业应用。
　　F-RAM比通常串口EEPROM器材有超越10，000倍的耐性，低于3，000倍的功耗和快到500倍的写入速度(图  2)。F-RAM联系了RAM和ROM的优势，与传统的非易失存储器比较，具有高速、低功耗、长寿命的特色。