15 to 30 VIGBT/MOSFET驱动IC耦合器TLP250H可替代TLP350H

潮光科技-420538

DIP8封装的IC耦合器TLP250H，可直接驱动一个中等容量IGBT或功率MOSFET。它的最大的传递延迟时间为500ns，传播延迟偏差为±150ns。这样在逆变电路中能减少死区时间和提高效率。它的工作温度范围较宽，在-40°C和125°C间。最后，它还具有低功耗的优点。最小工作电压为10V。
相比东芝以往的型号。它的应用范围很广，包括在高温环境中使用的工业设备，家用太阳能光伏发电系统，数字产品和测量和控制仪器。 
 
TLP250H/TLP350H参数：
电源电压：15 to 30 V
电源电流：3.0mA
温度：-40 to 125 ℃
传播延迟时间：0.5
隔离电压：5000Vrms/3750Vrms
PKG(包装)：DIP8
 
TLP250H应用：
IGBT /功率MOSFET栅极驱动器
功率调节器
通用变频器
 
TLP250H参数：
工作电源电压：V CC = 10到30V
传递延迟时间：t PLH，吨PHL = 500ns（最大值）
传播延迟偏差：±150ns的（最大）
工作温度范围：T OPR = -40°C至125°C
峰值输出电流：I OP =±2.5A（最大）
低输入电流：I FLH = 5毫安（最大）
绝缘电压：BV S = 5000Vrms（最小）
共模瞬态抑制: CMR =±40kV/μs

 

 

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