光耦TLP184gb

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潮光库存：	6000 PCS    (库存更新时间：2012-8-13 11:59:39)
制造商：	Toshiba (原厂品牌资讯)
封 装：	SOP-4
最小包装：	3000PCS/REEL
RoHS：
数量（个）        潮光报价（元/个） 1-50 1.90 50-1000 1.06 1k以上 0.95

以下型号可以替代TLP184gb

TLP180

TLP184gb详细参数

制造商		Toshiba
产品种类		晶体管输出光电耦合器
封装		SOP-4
包装		3000PCS/REEL

TLP184gb描述说明
 
加强绝缘类轻薄通用晶体管耦合器: TLP184, TLP185

   

• Data sheet: TLP184   
  
• Data sheet: TLP185
  

由于使用了S06封装，TLP184 和TLP185晶体管耦合器比前一代产品要轻薄，而且能在高温下正常工作(Ta = 110度 最大值)。
TLP184 和TLP185分别是TLP180 and TLP181的更新产品。 能轻易用这些产品代替现在的这些型号，因为这些产品的参考衰减器尺寸与现在的MFSOP6封装型号的尺寸是一样的。 而且，由于更轻薄，这些产品能将安装高度从先前的2.8毫米，降低到2.3毫米。
因为SO6封装能确保最小的间隙和爬电距离为5毫米，而不是现有型号MFSOP6封装中的4毫米。所以这些产品的最大允许操作隔离电压为 707 Vpk，EN60747-5-2中已明确规定过。 所以，TLP184 和 TLP185能更换DIP封装区域的零件(TLP781，TLP785等)。 而且，这种产品能确保内部绝缘厚度为0.4毫米，而且属于加强绝缘种类，符合国外安全标准。
因为这些产品都达到了UL、cUL、VDE及BSI等国际认证的安全标准，所以他们非常适合AC适配器、开关电源供电及FA设备等电子应用场合。

[img]http://www.tosharp.cn/ckfinder/userfiles/images/740_1r_1[1].jpg[/img]


特征

   

• 工作温度范围: –55至110度   
  
• 集电极-发射极电压 80V(最小值)   
  
• 隔离电流: 3750Vrms (最小值)   
  
• 电流转换比率: 50至 400% (at IF = 5mA, VCE = 5V, Ta = 25°C)
  

应用

   

• 开关电源   
  
• FA设备(转化器、伺服系统、可编程逻辑控制器)   
  
• 光伏电源调节器
  

轮廓图/内部电路图

轮廓图 [img]http://www.tosharp.cn/ckfinder/userfiles/images/740_2_1[1].gif[/img]
内部电路图 [img]http://www.tosharp.cn/ckfinder/userfiles/images/740_3_1[1].gif[/img]

电路实例

适用于转换器的通讯交流 [img]http://www.tosharp.cn/ckfinder/userfiles/images/740_4_1[1].gif[/img] 主要规格

 
 
加强绝缘类轻薄通用晶体管耦合器的主要规格: TLP184, TLP185                        项目            符号            单位            测试
            条件            TLP180 / TLP181            TLP184 / TLP185                            最小值            典型值            最大值            最小值            典型值            最大值                            正向电压            VF            V            IF=10mA            1            1.15            1.3            1.1            1.25            1.4                            集电极暗电流            ICEO            μA            VCE=48V            -            0.01            0.1            -            0.01            0.08                            集电极-发射极击穿电压            V(BR)CEO            V            IC=0.5mA            80            -            -            80            -            -                            集电极--发射极击穿电压            V(BR)ECO            V            IE=0.1mA            7            -            -            7            -            -                            电流传输比            IC/IF            %            IF=5mA,
            VCE=5V            50            -            600            50            -            400                            饱和CTR            IC/IF(sat)            %            IF=1mA,
            VCE=0.4V            -            60            -            -            60            -                            饱和CTR, GB档产品            30            -            -            30            -            -                            集电极-发射极饱和电压            VCE(sat)            V            IC=2.4mA,
            IF=8mA            -            -            0.4            -            -            0.3                            集电极-发射极饱和电压，
            GB档            IC=0.2mA,
            IF=1mA            -            -            0.4            -            -            0.3                            断开的集电极电流            IC(off)            μA            VF=0.7V,
            VCE=48V            -            -            10            -            1            10        

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