ARK联合美国MaxPower推出耗尽型高压功率MOSFET
近日，成都方舟微电子有限公司(ARK Microelectronics, Co., Ltd., 简称ARK)联合美国MaxPower公司推出全新系列耗尽型(Depletion Mode)高压功率MOSFET。
该系列产品采用了ARK-MaxPower具有自主知识产权的全新平面技术工艺，实现器件的可靠性和抗雪崩击穿能量完全达到，甚至超越了传统的平面工艺；同时采用专有的高密度工艺和坚固的多晶硅栅元胞结构，实现了极低的单位面积导通电阻(Specific On Resistance)和严格的关断电压控制。双方工艺的有机结合，使器件导通电阻、动态特性、抗雪崩击穿能量和可靠性之间折中设计得到了全面提升。
不同于增强型(Enhanced Mode) MOSFET器件，耗尽型MOSFET器件的关断电压随着制造工艺的波动而明显波动，给器件的并联使用、驱动电路的设计和系统的优化带来了极大的困难。该系列产品在采用先进的制造工艺和器件结构的基础上，利用美国成熟的晶圆代工厂(Foundry)进行生产，确保了芯片的参数稳定和交货周期。
ARK公司的CEO张少锋先生表示：“新推出的耗尽型功率MOSFET，与传统平面MOS技术相比，全新工艺技术具有单位面积导通电阻更低、寄生电容更小、开关速度更快、成本更低等无可比拟的优点，其芯片成本仅为经典平面技术芯片的30%~40%，具有无可比拟的市场竞争力，具有业内无可比拟的参数稳定性和长期可靠性，非常适合SMPS启动辅助电路、固态继电器、‘常开’开关、线形运放、恒流源、功率转换器和输入保护电路等应用。耗尽型MOSFET还可以作为JFET器件的有效替代品。相比于JFET器件，耗尽型MOSFET由于具备MOS结构，具有更高的可靠性、易于驱动控制、更好的温度特性和更低的功耗等明显优点。”
耗尽型功率MOSFET
耗尽型(Depletion Mode)功率MOSFET是一种“常开”(Normally On)器件，其关断电压VGS(OFF)为负值。其典型特性为：
当器件的栅-源电压VGS=0V时，漏-源之间即存在沟道，器件处于自然导通状态，可以通过较大的漏-源饱和电流IDSS；
当器件的栅-源电压处于VGS(OFF) < VGS < 0V时，漏-源之间的沟道开始部分耗尽，器件工作于可变电阻区。随着VGS变负，导通电阻逐渐变大，所能通过的电流变小；
当器件的栅-源电压VGS < VGS(OFF)时，漏-源之间的沟道完全耗尽，器件完全关断。
ARK耗尽型高压功率MOSFET系列
公司系列产品的规格如下：
漏-源击穿电压(BVDSS)：550V/600V
关断电压(VGS(OFF))：-3V±0.4V
导通电阻(RDS(ON))：2Ω~1000Ω
漏-源饱和电流：取决于封装形式
封装形式：SOT-23, TO-92, TO-220, TO-251, TO-252等
新器件均不含铅并符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS)。
在击穿电压400V~650V的范围内，以上参数均可根据客户需求，进行定制开发。
ARK耗尽型600V，700Ω功率MOSFET参数范例
热特性
电特性
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发表于 2010-5-13 11:35:54
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