ARK推出耗尽型功率MOSFET

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ARK推出耗尽型功率MOSFET

 
       近日，成都方舟微电子有限公司(ARK Microelectronics, Co., Ltd., 简称ARK)推出全新系列耗尽型(Depletion Mode)高压功率MOSFET。
 
该系列产品采用了ARK专有的高密度平面工艺和坚固的多晶硅栅元胞结构，实现了极低的单位面积导通电阻(Specific On Resistance)和严格的关断电压控制。
 
不同于增强型(Enhanced Mode) MOSFET器件，耗尽型MOSFET器件的关断电压随着制造工艺的波动而明显波动，给器件的并联使用、驱动电路的设计、相关元器件的匹配和系统的优化带来了极大的困难。ARK在采用先进的制造工艺和器件结构的基础上，利用美国成熟的晶圆代工厂(Foundry)进行生产，确保了芯片的参数稳定和交货周期。
 
ARK公司的CEO张少锋先生表示：“新推出的耗尽型功率MOSFET，具有业内无可比拟的参数稳定性和长期可靠性，非常适合固态继电器、‘常开’开关、线形运放、恒流源、功率转换器和输入保护电路等应用。耗尽型MOSFET还可以作为JFET器件的有效替代品。相比于JFET器件，耗尽型MOSFET由于具备MOS结构，具有更高的可靠性、易于驱动控制、更好的温度特性和更低的功耗等明显优点。”
 
耗尽型功率MOSFET
 
耗尽型(Depletion Mode)功率MOSFET是一种“常开”(Normally On)器件，其关断电压VGS(OFF)为负值。其典型特性为：
 
当器件的栅-源电压VGS=0V时，漏-源之间即存在沟道，器件处于自然导通状态，可以通过较大的漏-源饱和电流IDSS；
 
当器件的栅-源电压处于VGS(OFF) < VGS < 0V时，漏-源之间的沟道开始部分耗尽，器件工作于可变电阻区。随着VGS变负，导通电阻逐渐变大，所能通过的电流变小；
 
当器件的栅-源电压VGS < VGS(OFF)时，漏-源之间的沟道完全耗尽，器件完全关断。
 
ARK耗尽型功率MOSFET系列
 
公司系列产品的规格如下：
漏-源击穿电压(BVDSX)：650V / 600V / 550V / 400V
关断电压(VGS(OFF))：-4.0V ~ -2.0V
导通电阻(RDS(ON))：2Ω~700Ω，可根据客户定制开发。
漏-源饱和电流(IDSS)：1mA ~ 200mA，取决于导通电阻。
封装形式：SOT-23, TO-92, TO-220, TO-251, TO-252等。
 
新器件均不含铅并符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS)。
ARK耗尽型功率MOSFET参数范例
 
以ARK的550V, 60Ω耗尽型MOS管DMZ5501为例，其采用SOT-23封装，典型热特性和电特性如下表所示
 
热特性

封装	功耗（TA=25℃）              (W)	热阻(结-空气)              (℃/W)	连续电流              (mA)	脉冲电流              (mA)
TO-92	0.74	170	80	200
SOT-23	0.50	250	65	200

 
电特性
<div align="center">[table]            [tr]            [td=1,1,117]            符号
            [/td]            [td]            参数
            [/td]            [td]            

最小值

            [/td]            [td]            

典型值

            [/td]            [td]            

最大值

            [/td]            [td]            

单位

            [/td]            [td=1,1,167]            测试条件
            [/td]        [/tr]        [tr]            [td=1,1,117]            BVDSX
            [/td]            [td]            漏-源击穿电压
            [/td]            [td]            

550

            [/td]            [td]            

--

            [/td]            [td]            

--

            [/td]            [td]            

V

            [/td]            [td=1,1,167]            VGS=-10V, ID=100uA
            [/td]        [/tr]        [tr]            [td=1,1,117]            VGS(OFF)
            [/td]            [td]            栅-源关断电压
            [/td]            [td]            

-4.0

            [/td]            [td]            

-3.0

            [/td]            [td]            

-2.0

            [/td]            [td]            

V

            [/td]            [td=1,1,167]            VDS=25V, ID=10uA
            [/td]        [/tr]        [tr]            [td=1,1,117]            IGSS
            [/td]            [td]            栅极泄漏电流
            [/td]            [td]            

--

            [/td]            [td]            

--

            [/td]            [td]            

100

            [/td]            [td]            

nA

            [/td]            [td=1,1,167]            VGS=±20V, VDS=0V
            [/td]        [/tr]        [tr]            [td=1,1,117]            RDS(ON)
            [/td]            [td]            漏-源导通电阻
            [/td]            [td]            

--

            [/td]            [td]            

52

            [/td]            [td]            

60

            [/td]            [td]            

Ω

            [/td]            [td=1,1,167]            VGS=0V, ID=10mA
            [/td]        [/tr]        [tr]            [td=1,1,117]            CISS
            [/td]            [td]            输入电容
            [/td]            [td]            

--

            [/td]            [td]            

--

            [/td]            [td]            

450

            [/td]            [td]            

pF

            [/td]            [td=1,2,167]            VGS=-10V, VDS=25V,
            f=1.0MHz
            [/td]        [/tr]        [tr]            [td=1,1,117]            COSS
            [/td]            [td]            输出电容
            [/td]            [td]            

--

            [/td]