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【应用方案】+一款车充设计和实现可能

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    [LV.3]偶尔看看II

    发表于 2013-9-28 13:19:10 | 显示全部楼层 |阅读模式
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    基本的思路:输入是10--14V,输出恒压12V,最大电流3A,用于车充平板电脑。我们常常会联想到两种方案,一种是Sepic方案,另外一种就是运用比较广泛的Buck-Boost拓扑方案。对于sepic,往往需要两个电感,而buck-boost拓扑在同步整流或者非同步整流下的实现是有可能的,但是结构复杂,器件价格也贵。于是最优考虑sepic拓扑方案。
    进入接下来的TI设计阶段:
    1.jpg
    2.jpg
    从上面的图可以看到,TI的优化旋钮处于均衡位置,而给出的方案基本上是按照成本来排列的。在TI给出的7个方案中,可以观察到LM5022作为sepic拓扑方案效率偏低,损耗太大,应该最先排除去掉。Buck-Boost拓扑的LM5188和PMU拓扑的TPS652510这两个方案的可行性不是很好,不是比较好的方案。那么我重点关注了LM3478和LM3488这两个芯片为主的方案,考虑到LM3478的运用比较广泛,于是我选择了LM3478。
    3.jpg
    4.jpg
    那么在这个设计中,对于大电流的sepic设计,重点要考虑电感的选择。TI提供的电感是coilcraft的,国外产品有点贵,这里不做改动,但是个人觉得有合适的替代品还是选择便宜的电感。毕竟对于企业来说,降低成本至关重要。
    dv/dt的工具数值也值得我们关注,毕竟设计一个电路是不断优化的过程,电感的大小取值,mos管的选择,二极管的选择,输出电容的选择都要深入设计。
    5.jpg
    对于电感,最重要的参数就是峰值电流和RMS电流,要确保峰值电流小于饱和电流,然后根据RMS电流看电感的铜线电流密度是否合适。有一个地方值得我们注意,频率的改变可以影响电感的数值。在某种程度上,可以通过增加频率来减小电感感量,但是不可避免的是,也有可能会影响效率。如果影响不大的情况下,我们可以通过这样的设计来优化电路。
    对于mos管,要注意控制损耗,电路在恶劣环境下测试验证时,不要超过它的耐压值。对于二极管,同样要注意它的电流限制和电压限制。
    貌似这个方案可以仿真,看看仿真如何吧。
    6.jpg
    7.jpg
    8.jpg
    从仿真的结果来看,只能说这个设计还算可以,实际是不是这样就未知了。
    但是这个方案有几个地方确实要注意,LM3478没有软启动功能,因此在瞬间的上电时,要防止电流过大,于是要尽可能在外部增加一个软启动电路,可以考虑在输出电压的采样电阻上并联一个电容和二极管,上电瞬间,通过采样电阻慢慢地给电容充电,电压慢慢上升,实现了软启动。要是TI可以继续完善电路就更好了,哈哈。期待TI可以多多更新,我更期待用隔离的电路来设计电路。
    附上我的方案pdf:
    车充设计.pdf (240.38 KB, 下载次数: 13)
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