第16届IEEE国际集成电路物理与失效分析会议（IPFA2009）由IEEE南京分会主办，IEEE Reliability/CPMT/ED新加坡分会协办、由IEEE 电子器件协会与IEEE可靠性协会提供技术支持。IPFA2009是在中国举办的有关集成电路与器件方面非常专业、非常聚焦的国际会议，IPFA国际会议论文集是国际检索机构EI（工程引文检索）的源刊，论文全文被EI收录与检索。
IPFA是半导体领域失效分析与可靠性的国际顶级会议。自1987年首次在新加坡举办以来，IPFA2009是首次在中国举行。本次会议是历届论文数最多的一次会议。吸引了近1000名来自中、美、欧洲、新加坡、日本及亚太其他各国及地区的专家、公司质量经理/工程经理/可靠性经理/失效分析经理/高层人员、科研院所/相关大学国家重点实验室的科研人员。
目前录取论文数量已达300篇，参加大学有清华、北大、复旦、上海交大、浙大、科大、北京交大、大连理工、电子科大、哈工大、吉林大学、同济大学、西安交通大学、中国台湾清大、中国台湾大学、中国台湾国立交通大学、新加坡国立大学、南洋理工大学、中科院微电子研究所、CNES（法国）、微电子所（奥地利）、中国台湾工业技术研究院、THALES（法国）等近100所全球著名院校和研究所。
参加企业有AMD、TSMC（台积电，全球第一晶圆代工厂）、UMC（联电，全球第二晶圆代工厂）、Chartered（新加坡特许半导体）、SMIC（中芯国际）、CSMC（华润上华）、Samsung（三星）、Tessolve、FEI、Spil（矽品）、BYD（比亚迪）、NSC（美国国家半导体）、Hamamatsu、Infineon（英飞凌）、Freescale（飞思卡尔）、SSL、Insidix、ZEISS（卡尔蔡司）、DCG、尚德太阳能等200余家世界500强企业或国际知名企业。
此次研讨会在苏州举办，为期5天，在研讨会场外同期举行3天的检测仪器设备展。研讨会茶歇就在展会现场，与会人员可随时与展商互动交流。参展企业可以通过此次研讨会这个平台为企业的市场推广做铺垫，并帮忙企业提高其市场占有率和品牌影响力。
IPFA 研讨会历史
1987-首届IPFA国际会议由IEEE失效分析分会在新加坡举办；
1989-IEEE可靠性协会的新加坡分会，成为IEEE 可靠性/CPMT联合会的新加坡分会。最后自1994年起发展为IEEE可靠性协会、IEEE组件-封装-制造技术协会以及IEEE电子器件协会联合会的新加坡分会；
2002年起每年举行一次。IPFA已经发展为全球举足轻重的可靠性与失效分析会议组织。在美国，相应的会议为IRPS（可靠性物理国际会议）和ISTFA（测试与失效分析国际会议）。在欧洲，相应的会议为ESREF（欧洲电子器件可靠性与失效物理分析会议）；
2002年- IPFA成立了技术程序指导委员会（TPSC），目的是进一步扩大IPFA会议组织的国际参与度；
2003年- IPFA与IEEE器件与材料可靠性杂志（TDMR）合作，从每年的IPFA论文集中挑选部分论文发表在IEEE TDMR的特刊上；
2004年-IPFA第一次在新加坡以外的地点——中国台湾新竹举办，在台半导体学术界和企业界反响强烈；
2005年-在新加坡举行；2006年-在新加坡举行；2007年-印度邦加罗尔举行；2008年-在新加坡举行；
本届IPFA 2009，将在中国举行。
我们期待您来到IPFA2009
Weidong Huang（Dr） Tim Fai Lam (Dr) Xianzhong Song
IPFA 2009 Exhibition Chair IPFA 2009 Technical Chair IPFA 2009 General Chair
历届部分参展企业
Microscope(显微镜) SEM（电镜）
Carl Zeiss SMT Pte Ltd FEI Company of USA(SEA)Pte Ltd
Olympus奥林巴斯 JEOL Asia Pte Ltd日本电子
Nikon尼康 Carl Zeiss SMT Pte Ltd
莱卡 Hi-Tech Instruments日立
Hirox浩视
Keyence基恩士
X-ray Environmental Test Chamber（环境测试）
Dage（SE Asia）Pte Ltd达格 Weiss /Votsch
Phoenix Envirotronics Inc环测
Feinfocus 热测
Sof-tek Espec爱佩斯克
Shimadzu Hitachi日立
PEM（光发射显微镜） DECAP /RIE
SEMICAPS NSC
Hamamatsu
推拉力 加速寿命试验设备（HALT)
Dage（SE Asia）Pte Ltd达格 美国QUALMARK
EDS（能谱） Cutting& olish
Oxford Instruments Ptd Ltd牛津 Allied
EDAX Struers司特尔
Bruker AXS Microanalysis GmbH Buehaler标乐
ESD 测试设备 SAM
Hanwa Sonoscan
代理商 气候环境试验箱
Vector Scientific/NISENE (B&G) Weiss /Votsch
Radiant Optronics 环测
BF 热测
ELLIPSIZ Espec
AMETEK SINGAPORE Hitachi
ZMC/Suss Microtec
Teratech Solutions
其它
STESCO CentiForce Instruments
Win Tech Nano-Technology Services Credence System Corporation
FALAB Dainan TECH
Zyvex Instruments Extrad Instrumentation
APP SYSTEMS SERVICES PTE LTD H-TECH Instruments
CASCADE Scientific Ltd INSTISTUTE OF MICROELECTRONICS
Quasi-S PTE Keithley Instruments
RAITH Gmbh MULTIPROBE INC
IPFA 2009展会预约
展会信息和预约：
IPFA2009 展会将在中国苏州独墅湖高教区举行（地址：中国苏州工业园区星湖街555号），研讨会、茶歇和午宴将在相同地点举行。酒店是苏州中星豪生全套房酒店（地址：中国苏州工业园区高和路78号）
展会日程安排：
日期 展会 同期举行
2009/7/7（14：00~18：00） 设备搬入/调试 培训讲座
2009/7/8~10 展会（三天） 研讨会
2009/7/10 设备搬出 研讨会
展位分类：
展位描述
(A)3m*3m CNY24500元
(B)2m*3m CNY21000元
(C)2m*2m CNY 17500元
(D) 热点位置 价格另议
◆费用包括赠送一个在2009年7月8~10日期间举办的研讨会注册名额（仅对参展商）。在2009年4月18日前注册并全额付款的可以有2000.00元的优惠。
◆附上一份标准展位透视图。每个标准展位包括：铝质高2.44m白板、公司名字仪表板和展位序号（PVC标签）、服务台，折椅，纸篓，2个荧光灯（40W）
◆请注意：展厅位于第一层和第二层（第二层所有展位打8折），电梯是1.05m*1.9m。如果您要搬运大个设备进入展厅请与秘书处联系(展位分配，先到先得，额满即止)。
展位注册表
展位第一选择（请勾选） 3m×3m
2m×3m
2m×2m
展位第二选择（请勾选） 3m×3m
2m×3m
2m×2m
单位：
联系人： 称呼：
电话： 传真： Mail：
地址：
国家： 邮编：
批准签字： 日期：
论文征集
第16届IEEE国际集成电路物理与失效分析会议（IPFA2009）将于2009年7月6日-10日在苏州举行，会议由IEEE南京分会主办，IEEE Reliability/CPMT/ED新加坡分会协办、由IEEE 电子器件协会与IEEE可靠性协会提供技术支持。
IPFA国际会议论文集是国际检索机构EI（工程引文检索）的源刊，论文全文被EI收录与检索，EI的分类编号为002346，同时被IEEE Xplore 数据库收录，并且论文全文都将以统一书号被收入IEEE会议论文集，并在IEEE网站上刊登电子版，最佳论文将在ESREF和ISTFA上交换发表。
IPFA是全球有关半导体物理分析、失效分析及可靠性方面学术水平最高、规模最大、影响最广的国际会议，2009年第一次在中国召开。会议将邀请中、美、欧洲、新加坡、日本及亚太其他各国专家作大会报告和分会邀请报告。这次会议将是国内外该领域的研究人员之间交流信息和了解国际、国内最新进展的一次很好的机会。会议将为期五天，包括两天的技术交流与培训讲座、三天的论文发表与研讨，同时并行三天的设备展览。
IPFA 2009将致力于对半导体物理机制与失效分析的基本原理的理解和相关半导体器件可靠性以及成品率问题的认识，尤其是对与其相关的先进工艺过程的认识。技术程序委员会热忱欢迎相关以下领域（但不局限于）的论文投稿。
新兴材料特性、样品制备与检测分析技术
• 半导体材料和材料表征
• 新兴电子材料与工艺、绿色电子材料特性
• 薄膜材料/介电材料/基板材料/高密度基板/导热材料特性
• 键合丝/焊锡/芯片填料/塑封料和粘结剂材料特性
• 纳米材料/光电子材料特性与技术
• 用于失效分析的材料特性
• 用于失效分析的样本制备
• 离子束样品制备技术
• 聚焦离子束和透射电镜的相关应用
• 检测设备与检测分析技术
先进物理分析技术与失效分析技术
• 用于芯片和封装失效分析方面先进的和新颖的技术
• 光学技术，磁性技术，X射线技术，微观显微镜技术
• 分析和测试的设计
• 模型及仿真模拟、有限元/流体CFD分析技术，对各种电、热、光和机械特性进行建模、模拟和验证的方法/技术/软件
• 相关IC设计技术、失效分析技术
芯片级、封装级、板级、系统级的工艺与技术、失效分析案例研究以及失效机理研究
• 芯片/封装失效分析过程
• 芯片/封装相关的失效机理
• 静电放电/电过应力, 静态电流闩锁效应
• 倒装芯片, SOI片上系统, 系统级封装工艺与技术
• 相关测试技术
• 相关SMT及组装技术
• 芯片级、封装级、板级、系统级3D 设计
先进的可靠性评估和方法
• 晶圆/芯片级可靠性技术与设计
• 封装级可靠性技术与设计
• 板级可靠性技术与设计
• 系统级的可靠性技术与设计
• 应用电子/消费电子/通讯电子相关设计与可靠性技术
• 内置可靠性
新颖器件技术与可靠性及失效机理
• 应变Si, Si/Ge 和SOI/SGOI/GOI: 可靠性和失效机理
• 化合物半导体器件: 可靠性和失效机理
• 微机械系统和生物微机械系统：可靠性和失效机理
• 光电子: 可靠性和失效机理
• 动态随机存储器，闪存和记忆器件: 可靠性和失效机理
• 纳米线和纳米器件：可靠性和失效机理
• 硅基MOS器件技术、存储器技术、化合物半导体技术
• 量子电子和纳电子
• 光电器件和技术
• MEMS微机电器件技术
• 有机半导体器件和技术
• TFT薄膜晶体管技术
新型栅堆叠/栅介质，FEOL可靠性及其失效机理
• 超薄栅介质：可靠性和模型
• 金属栅/ High-k、High-K介质：可靠性，模型和失效机理
• 热载流子可靠性，NBTI
先进互连技术和BEOL可靠性及其失效机理
• Cu 电迁移/应力迁移：模型和失效机理
• 机械应力和粘接问题
• Low-k / Ultra Low-k介质可靠性
• 3D 互连
光伏、光电技术、可靠性和失效机理
• 基础研究
• 光伏电池级别
• 组件级别
• 系统级别
• 集成问题
• LED技术、OLED技术
研讨会议程介绍
培训讲座议程 (2009年7月6-7日)
2009年7月6日--两个课程同时进行 2009年7月7日--两个课程同时进行
早上
8:30
开始 课题1:光发射与光学显微技术在集成电路失效分析中的应用
Jacob C.H.Phang教授，新加坡国立大学 课题5： PV组件和系统失效机理的有关问题
Liang Ji , UL, 美国
课题2：集成电路的静电放电及其保护电路设计
J.J. Liou教授，中佛罗里达大学, 美国 课题6：先进非挥发性存储器技术及其可靠性
Guoqiao Tao博士，NXP, 荷兰
下午
13：30
开始 课题3：失效分析概述及其挑战
Susan Li博士，飞索半导体，美国 课题7：光伏产品的可靠性与失效机理
Shijun Cai博士, 尚德太阳能，中国
课题4: 材料科学在电子封装失效分析中的应用
Tim Fai Lam博士，飞索半导体，中国 课题8：栅介质可靠性：物理击穿及统计分析
Ernest Wu博士，IBM, 美国
研讨会培训议程（2009年7月8-10日）
2009年7月8号 2009年7月9号 2009年7月10号
早晨8:30---10:15
会议 1:
开幕典礼
早晨8:30---10:15
会议 5:
光伏、光电技术、可靠性和失效机理 早晨8:30---10:15
会议 9:
新型栅堆叠/栅介质，FEOL可靠性及其失效机理
茶歇10:15 茶歇10:15 茶歇10:15
上午10:35---12:20
会议2:
先进物理分析技术与失效分析技术1
上午10:35---12:20
会议6:
芯片级、封装级、板级、系统级的工艺与技术、失效分析案例研究以及失效机理研究2 上午10:35---12:20
会议10:
新兴材料特性、样品制备与检测分析技术
午餐12:20 中午12:35---下午3:10
会议7:
午餐/ 论文海报/失效分析照片欣赏 午餐12:20
下午1:40---3:10
会议 3:
芯片级、封装级、板级、系统级的工艺与技术、失效分析案例研究以及失效机理研究1 下午1:40---3:10
会议11:
先进的可靠性评估和方法
茶歇3:10 茶歇3:10 茶歇3:10
下午3:30---5:00
会议4:
先进互连技术和BEOL可靠性及其失效机理 下午3:30---5:00
会议8:
先进物理分析技术与失效分析技术2 下午3:30---5:00
会议12:
新颖器件技术与可靠性及失效机理
闭幕典礼
课程提纲
培训讲座课题提纲
课题1:光发射与光学显微技术在集成电路失效分析中的应用
Jacob C.H. Phang教授，新加坡国立大学
摘要：失效定位主要有两种类型，即被动和主动技术。一个常见的被动技术是光发射显微镜，它是由光子接收器和显微镜结合在一起侦测光子的设备。这项技术通常应用于确定失效位置的发射光子。另一种常见的主动技术是用扫描激光束来激发失效位置电子迁移产生或热量异常。在这个讲座里，光发射显微镜和扫描光学显微镜技术结合在一起针对正面和背面失效定位的应用。并且讲解不同类型的案例分析。
课题2：集成电路的静电放电及其保护电路设计
J.J. Liou教授，中佛罗里达大学，美国
摘要：静电放电是电荷从一个对象转移到另一个对象的过程，这个过程可能会导致非常高的电流在一个很短的时间内通过芯片，而且35 ％以上的芯片损害可以归结于这样的原因。因此，设计强有力的片上实验ESD结构去保护微芯片是半导体行业中的一个高度优先事项。事实上，全球的很多半导体公司在面临日益严格的ESD保护要求方面都有很大的困难。这个课程覆盖了ESD中的大量问题，包括：ESD概况、测试和BiCMOS / CMOS工艺中的ESD 设计。
课题3：失效分析的概述及其挑战
Susan Li博士，飞索半导体，美国
1.失效分析概述
a）失效分析人员应具备的基本素质
b）失效分析流程中的关键步骤
c）失效分析的价值
d）失效分析发展方向
2.IC元器件失效分析案例讲解
a) IC直流参数性失效中电路分析的难处典型案例
b）从工艺过程与模拟试验挖掘失效原因的典型案例
c） 闪存IC功能性失效的失效分析的典型案例PVC技术对芯片物理失效分析的典型案例
d）ESD静电放电失效与EOS过电失效的现象区别
3.失效分析检测设备与技术手段概论
a）外观光学显微分析 b）电学失效验证
c）X-ray透视检查 d）SAM声学扫描观察
e）开封Decap f）内部光学检查
g）EMMI光电子辐射显微观察
h）离子蚀刻、剥层分析Deprocessing
i）金相切片Cross-section j）FIB分析
k）失效背景调查 l）电镜与能谱SEM/EDS
课题4:材料科学在封装失效分析中的应用
Tim Fai Lam博士，飞索半导体, 中国
1.集成电路里的材料科学基础知识
a) 金属相位与相图 b) 形变与机械性能
c) 失效分析有用的设备
d) 集成电路封装结构的常用材料
2.失效分析在集成电路封装里的应用案例
a)封装结构的常见失效现象 b)硅晶元的基础知识
c)封装材料特性与失效案例
3.可焊性与失效分析
a) 可焊性的基础知识研究 b)镀层结构效应
c)金属间化合物的生长与可焊性案例
4.引脚镀层失效分析
a）非对称性引起的引脚侧移失效案例
5.锡须案例分析
6.枝晶案例分析
a)铅枝晶案例分析
b)金枝晶案例分析
c)铜枝晶案例分析
7.焊锡连接性失效分析
8.有限元FEA分析在失效分析中的应用案例
9.翘曲/分层/潮气吸收等失效案例分析
课题5：光伏产品的可靠性与失效机理
Liang Ji , UL, 美国
摘要：本讲座中，将会讲到有关PV组件和系统失效机理的问题，如层压，焊接，电气连接，接地，电弧等。
课题6：先进非挥发性存储器技术及其可靠性
Guoqiao Tao博士，NXP, 荷兰
摘要：近年来，由于数码相机，数码摄像机，移动存储器和移动娱乐设备等方面的应用，闪存市场（主要是由NAND闪存占据）已成为一个最大的半导体市场。与此同时，在具有非挥发性存储器的SOC器件领域，有显著增长：如：闪存微控制器，闪存的FPGA ，智能卡， RFID的标签，等。对与先进的非易失性存储器密切相关的技术和可靠性方面正确的理解非常重要。本讲座的课题是存储器可靠性，专为工艺技术开发，可靠性评估，应用/系统开发，和故障分析领域的学生和工程师设计。本讲座将主要讲述在浮栅存储器，及其产品结构，技术和可靠性方面的问题，最后会对非浮栅NVMs作简要概述。以下是本讲座的分专题：
a）多种应用领域的典型要求 b）编译浮栅内存的方法
c）浮栅存储器件的基本原理 d）擦除浮栅内存的方法
e） 浮栅单元主要类型：堆叠单元，重叠单元，分裂栅单元和单多晶硅单元
f）评估数据存储能力 g）评估写/擦除循环的能力
h）LTDR：低温数据存储 i）写/擦除和读的障碍j）多级单元和单级单元 K）纠正代码的应用
l）讨论问题：什么决定编译的速度及其可靠性的影响
m）先进技术的特殊问题：寄生连接器
课程提纲
n）内置NVM的特殊问题：逻辑器件的相互影响
o）制造方面：缺点的密度，良率和重复性
p）讨论问题：新技术/新产品的限制
q）NVM可靠模型
课题7：光伏产品的可靠性与失效机理
Shijun Cai博士, 尚德太阳能，中国
课题8：栅介质可靠性：物理击穿和统计分析
Ernest Wu博士, IBM, 美国
摘要：随着在一亿个晶体管，甚至是一个单芯片上增加适用电压和高集成度的要求越来越高，介质的可靠性，如栅氧化层可靠性已经进入了一个新时代。由于氧化层厚度已达到其最小厚度约1.0纳米，只有几个原子。在这些特殊条件下要保持同样的可靠性规范，需要对栅氧化层失效机理的创新评价和投影方法有基本的了解。在这节课程中，我们将对介电击穿电压加速统计分析和模式，如电源电压加速模型法做概述。特别是，实验证据和理论模型将结合在一起讲解以促进整体的了解。我们将审核一项新的，但很有前景的物理基础的渗流模型，在最近的报道中，它能够解释第一击穿和后击穿统计行为。要充分考虑产品水平的电路可靠性，新的后击穿模型，如故障模式逐步瓦解，必须考虑和认真实施一套全面的方法，同时提供更多的可靠性利润率。我们还将审查的最新进展的了解，统计分布和逐步击穿模式的电压加速。但是，对击穿机理和统计分析建立一个完全了解始终是重要的，本讲座也将着重于可靠性工程师的日常工作中的多方面实际资格。最后，本讲座将举出第一次击穿和逐步击穿预测方法几个例子试图消除一些混淆可靠性预测。
研讨会特邀论文提纲
特邀论文1：建立可行的TDDB可靠性方法：从物理击穿到电路失效
Ernest Wu博士, IBM, 美国
摘要：栅介质可靠性评估需要透彻了解复杂的故障统计,最好还应该基于一个详细的了解物理介质退化。 在此邀请报告中，我们会讨论到介质可靠性评估方法的基本原理并重点讲到超薄氧化层的问题。本报告分为两部分。首先，我们将谈到基本的物理和统计的介质击穿.第二，我们会谈到当发生氧化物故障时，并不会立即导致设备/电路故障。就击穿而言，我们会集中讨论击穿统计，包括与薄弱环节的性质相关的领域扩展性能。氧化层厚度范围内的渗流模型的氧化物击穿和the role of oxide thickness in the framework of the percolation model of oxide breakdown.我们还将讨论典雅的加速，及有关的物理模型的氧化降解。特别是当前的重点是氢释放模式为目前被广泛接受的幂律电压加速模式提供了一种可行的理论基础。由于氧化击穿之后，超薄氧化装置仍旧会在规格之内运转。随着氧化层厚度的增加，可靠性利润逐渐缩减，近今年来，对后击穿特性的研究引起人们广泛兴趣。我们将用不同的方法进行后击穿故障统计，重点是有关统计描述和逐步击穿故障的实验特点包括多个击穿案例。我们将从物理学的角度来讨论产品的电路故障的评估方法。
特邀论文2: 提高65纳米铜/low-K制程可靠性的系统研究
Chinchang Liao博士, 中芯国际, 中国台
特邀论文3: 先进铜制程的可靠性挑战
Jeffrey Gambino博士, IBM, 美国
摘要：随着器件尺寸的缩小铜制程的可靠性将面临越来越多的挑战，因为尺寸越小low-k材料的机械应力越弱。在这篇报告中，我们将主要介绍铜制程中的电迁移和TDDB。
特邀论文4: 非挥发性存储器中的先进浮栅技术及其可靠性
GuoQiao Tao博士, 飞利浦, 荷兰
特邀论文5: 失效分析概述及其挑战
Susan Li 博士, 飞索半导体, 美国
特邀论文6: 100纳米以下器件的内置可靠性和分析技术的挑战
M.K. Radhakrishnan博士, 印度
摘要：随着器件工艺正在从纳米级朝向原子级的发展，Richard Feynman50年前曾说过的经典之语“底下的空间大的很”，需要仔细的研究和详细的了解。与此同时一些器件研发人员和制造商的评论也认为“地下的困难大的很”。为什么会这样的差别呢？现在的困难是在建立器件可靠性的方法上。器件发展是通过分析其强度和降低延迟的过程，通过对器件物理特性的理解帮助了上实际器件的进步。目前，器件尺寸越小，新材料和界面特性的挑战的分析。首先，是失效定位的确定。失效定位工具及其限制问题。然后，物理和化学的分析限制。该演讲介绍了目前失效定位的趋势和某些物理分析的挑战。
特邀论文7: 扫描光学显微技术分辨率和灵敏度的提高在集成电路失效分析中的应用
Jacob C.H.Phang教授, 新加坡国立大学
摘要：扫描光学显微技术是一种有效的光学失效定位方法。它对热激发或迁移很敏感。在这篇论文，介绍了该技术分辨率和灵敏度增强的发展及其应用。各种增强方法包括：折射固体浸没透镜，激光脉冲和DC耦合的检测系统。同时介绍一些结合这些方法的实际案例。
特邀论文8: 动态激光扩展测试
Phillippe Perdu博士, CNES, 法国
摘要：在产品级，工艺的改变受制于摩尔定律并且会带
来越来越多的挑战，是不得不面对的问题。怎样去分析？怎样的工具可以满足要求？怎样的技术可以完成？
到目前为止，为了提高空间分辨率（固体浸没透镜）、克服光发射的红外漂移（使用InGaAs 传感器）和设置背面电针(激光电压电针，时间分辨发射)已做了很多的改善。为了得到高分辨率和高敏感度仍然需要很大的改进。然而，如果我们考虑到一个最终器件的复杂性，相同尺寸的芯片，晶体管的数量每18个月翻一倍，而输入/输出pin脚仅略有上升。因此，我们正面临着缺乏可观性和可控性的问题。动态激光刺激的奇特能效是基于注入一小部分的能量（光电热量）到器件晶体管的栅极上的能力。它提高了可控性能力，同时在激光刺激下注入的能量改变了结构的电学特性。在基本结构上，由此产生的电气参数变化可直接绘图或用Shmoo plot可以侦测边缘效应。
特邀论文9：光伏、光电技术、可靠性和失效机理
Liang Ji , UL, 美国
特邀论文10：芯片级、封装级、板级、系统级的工艺与技术、失效分析案例研究以及失效机理研究
John H. Lau 教授, 香港科技大学， 香港
摘要：SIP是由薄薄Die在3D里堆积而成的。在先进的SIP里，这些die是由microbump和TSV连接在一起。在这篇论文里，将介绍在不同温度条件microbump和TSV的失效分析的有限元方法的应用。
特邀论文11：碳纳米纤维制程中的电热传导
Cary Yang 教授, 美国Santa Clara大学
摘要：基于大量的实验数据，开发了一个新模型，通过整体碳纳米显微互连测量结构和击穿位置的热传导得到的。这种电热传导模型阐述了与其它材料接触位置的电流变化。由此产生的热散射和电流容量与测试数据完全一致。
特邀论文12：先进的可靠性评估和方法
Albert Chin教授, 国立交通大学，中国台湾
特邀论文13：先进的可靠性评估和方法
Tony Oates博士, TSMC, 中国台
摘要: 针对SONOS CTF的浅陷阱源在苛刻的温度条件下获得良好存储能力是个根本的挑战。尽管通过BE-SONOS可以增加高温存储能力，这样会降低擦除速度。为了解决这些问题，我们创造了一个新的用深俘获高电介质代替Si3N4的CTEF在150度、100s和17v编程/擦除的条件下，CTEF器件可以得到一个5.6V的初始存储窗和一个3.8V 10年4个位元/单元MLC的存储能力。
讲师背景简介
Jacob C.H.Phang教授, 新加坡国立大学
Jacob C.H. Phang 教授分别于1975和1979年获得剑桥大学的学士和博士学位。1979年开始在新加坡国立大学任教，现为集成电路失效分析和可靠性中心(CICFAR) 教授。研究领域为集成电路失效分析和可靠性. 他还是新加坡国立大学附属SEMICAPS公司（1988年与他人共同创建）的执行主席，以
便在世界范围推广CICFAR开发的先进技术。
J.J. Liou教授，中佛罗里达大学，美国
刘俊杰教授分别于1982，1983，1987 获得位于美国佛罗里达大学的学士，硕士及博士学位。1987年任教于美国中佛罗里达大学电气与计算机工程系，现为该系教授。现在的研究领域为纳米电子电脑辅助设计，射频器件建模与仿真，以及半导体制造业及其可靠性。刘教授已获三项专利，
出版6本教科书；发表210余篇期刊论文。他还曾与美国，日本，中国台湾和新加坡等国家或地区的研究实验室和公司举办了咨询会。刘教授曾担任多种杂志和出版物的技术评审；几大国际会议的技术程序委员会主席或成员；微电子可靠性杂志区域编辑。他的其他荣誉还包括：中佛罗里达大学理事主席；华中科技大学顾问教授；IEEE EDS 和国家科学委员会杰出讲师IEEE EDS 区域副主席；IEEE EDS 教育委员会成员等。
Guoqiao Tao博士，NXP, 荷兰
陶国桥博士1963年出生于江苏省，1982年毕业于南京大学获半导体物理学士学位。分别于1990年和1994年，获得荷兰代尔夫特技术大学的电气工程硕士和博士学位。他曾从事于半导体物理领以不同的课题研究：分立器件，双极集成电路，声表面波器件，太阳能电池，以及嵌入式非易失性存储器。他是NXP的
半导体研究人员并是非挥发性存储器技术及其可靠性领域的资深领航人。陶博士发明了2T-FNFN-NOR 器件，并发表了很多有关非挥发性存储器设备及其可靠性的论文。
John H. Lau 教授, 香港科技大学， 香港
Lau教授自2009年1月起，就是香港
科技大学的访问教授。在此之前， 他曾担任2年微电子研究所(新加坡，IME)MMC实验室主任。作为资深科学家就职于美国惠普和安捷伦公司逾20年。拥有30多年的研发和制造经验，曾撰写或参与撰写300多篇同行审查的技术出版物，100多章节论文并应邀发
表250多篇会议演讲论文。Lau教授还曾撰写和参与撰写16本关于“先进的封装，焊点可靠性和无铅焊接和制
造”的教科书。他获得了美国Illinois大学的理论与应用力学博士学位；北美“结构工程”，“工程物理”和“管理科学”三个硕士学位。Lau教授是ASME 会员，IEEE/CPMT杰出讲师，1994年以来就是IEEE 会员。
Tim Fai Lam博士，飞索半导体, 中国
林天辉博士1939年出生于香港。在北京科技大学主修金属物理和材料科学，并获得工程学士和博士学位。1964年到1989年，就职于上海钢铁研究所从事金属和合金的研究。1990年起，就职于AMD新加坡高级技术专家组成员。凭借在物理和材料科学领域中的丰富经验和广博学识, 他解决
了IC封装技术的许多关键问题。1994年以来，他主要研究有限元分析（FEA），是一个广泛应用于IC设计和制造领域的工具。他建立了700多个有限元分析模型，发表了有关有限元分析的100多篇正式报告，其中大部分被刊登在在国际会议和出版物上。他还曾为美国，新加坡，泰国，菲律宾和中国等地区的AMD ，飞索，以及各大学和教育机构举办讲座或开设讲习班 。2002年底自新加坡AMD 退休后，在中国苏州的飞索担任技术顾问至今。
Susan Li博士，飞索半导体，美国
Susan Li 是美国宾夕法尼亚州匹兹堡市的卡内基梅隆大学的材料科学与冶金硕士和清华大学机电工程学士。目前是总部位于加利福尼亚州森尼韦尔的飞索半导体公司的全球失效分析实验室经理和资深技术人员。她的主要职责就是监督飞索六个地区的失效分析实验室失效分析技术的运用和发
展。17年来在AMD 或飞索，她从事于不同的产品研究：包括网络，无线，微处理器的器件，目前在研究闪存器件。她的工作重点就是协助设计团队，生产线和制造组以分析顾客反馈和调试新产品及对现有产品进行失效分析以提高产品质量。她已在国际会议上发表了19篇论文，目前在美国获20项专利。
Phillippe Perdu博士, CNES, 法国
Dr Phillippe Perdu 在CNES是微电
子方面的高级专家。1988年以来，就 领导着CNES超大规模集成电路失效分析实验室。在此之前，他曾针对电话，汽车零部件和军事系统制造商开发出电子系统。1988年，获得国家艺术和商学院（NAAT）电子专业硕士学位；1994年获得保罗萨巴蒂大学电
子专业博士学位；除此之外，他还在积极地研究大规模集成电路（VLSI）工具和方法的研发。并已撰写或参与撰写130多篇论文，获得13项专利。他是法国失效分析
协会的主席；电子器件失效分析协会和欧洲失效分析网络的董事会成员。
Ernest Wu博士, IBM, 美国
Ernest Wu博士在IBM担任技术可
靠性部门半导体研发中心的高级技术
人员。分别于1986和1989年获得堪
萨斯大学的硕士和博士学位，1994年
就职于IBM微电子部，负责介电质可
靠性方法的技术认证和发展。他的研
究领域包括介电质可靠性，物理器件
可靠性和凝聚物质物理学。他在
IRPS2005 和2007分别担任设备介质委员会主席和联合主席。2004年，由于对CMOS技术的超薄栅可靠性的突出贡献荣获IBM先进技术成就奖。
Jordi Suñé 博士(联合作者) 1986年毕业于巴塞罗那自治大学物理学专业并于1989年获得该校的电子学博士学位。他曾撰写和合作撰写150多篇论文，其中有11篇国际电子器件会议论文，为国际可靠性物理研讨会提交数篇氧化氮可靠性领域特邀论文和讲座论文。2004年，由于他的突出研究成果，获得Generalitat Catalunya奖；2008年，获得IBM 学院奖。他的主要研究领域是栅氧化层可靠性和建模与仿真电子输运的电子器件。
Jeffrey Gambino博士, IBM, 美国
Jeffrey Gambino博士就职于美国IBM微电子部。1979年毕业于美国纽约州伊萨卡康乃尔大学并获材料科学学士学位；1984年获得剑桥大学麻省理工学院材料科学博士学位。1984年他进入IBM 从事于双极和CMOS器件的硅化物工艺研究。1992年，他就
职于纽约Hopewell Junction 先进半导体研究中DRAM 发展联盟。1999年，他就职于Essex Junction, VT IBM制造部，从事CMOS逻辑技术的铜互连工艺研究。他先后发表技术论文100多篇，获专利100余项。
M.K. Radhakrishnan博士, 印度
M.K. Radhakrishnan博士30多年来作为科学家，院士和技术顾问，在新加坡微电子研究所、半导体产业的领航公司、意法半导体和飞利浦担任高层领导。目前，他在自己创立的技术咨询公司NanoRel担任首席技术顾问，该公司服务领域是向半导体制造商、晶圆厂、封装、组装和测试商提供技
术咨询和培训。目前，他的研究方向主要是：亚微米/ 纳米设备可靠性，ESD，先进器件分析和课程开发。他已发表60余个研究出版物，其中很多是著名期刊上的特邀论文。
季良俊,UL, 美国
季良俊现任美国UL公司研究工程师。他在可再生能源领域中有20多年的经验：主要侧重于标准的开发，测试和认证，以及故障分析。目前，他拥有以下技术会员资格：ANSI USTAG会员;IEC TC 82 WG2会员;IEC TC 82 WG7会员和项目主
管;ASTM E44副主席;IECEE CTLETF 9主持人;IECEE 技术评估人;IEEE SCC 21会员V GAP Advisory Board会员;SAC TC 342会员等.他以往的工作经历还包括：亚利桑那州立大学实验室经理和高级工程师，光电测试实验室； 扬州大学讲师。
Carry Yang教授，圣塔克拉拉大学，美国
Prof Yang 分别于1970年，1971和1975年获得宾夕法尼亚大学机电工程学士，硕士和博士学位；他在美国宇航局艾姆斯研究中心和斯坦福大学继续表面与界面科学的研究；之后，开创表面分析研究。1983年Prof Yang 任教于圣塔克拉拉大学，目前是电气工程学院的院长及纳米结构中心主
任，他目前的研究领域是在电子和生物方面的纳米界面与互连。他曾历任IEEE电子器件协会（IEEE EDS）主席。2001年，在People to People Ambassadors项目中，领导电子器件代表团访问中国。2004年，因为“对微纳米领域继续教育工作的重大贡献”获得IEEE教育活动局优秀成果奖。
Albert Chin教授，国立交通大学，中国台湾
Albert Chin教授于1989年获得美国密歇根大学电气工程博士学位。1989-1990年在AT&T-Bell实验室；1990-1992年，在通用电气电子实验室从事研究工作；1996-1997年，就职于德州仪器SPDC。2002起，他是新加坡国立大学SNDL的访问教授，2002年至今，
中国台湾国立交通大学教授。他是高介电常数栅极绝缘层和金属栅极研究开拓者；他开发的Al2O3 和La2O3已经与HfSiON一起使用来降低32纳米P/N MOS管的开启电压；高迁移率的GOI CMOS,低交流电源3D集成电路和高增益共振腔光探测器；他是高阻层SONOS存储器和CTEF方面的领导者；他开创了纳米结晶高MIM电容器的研究研究进行模拟/RF和DRAM的应用；通过使用H +参杂创造深陷阱把基底变成半绝缘，做出了突出的贡献：他还发明了不对称同时具有高RF功率性能LDD MOS。他参与撰写的9篇论文被列为基本科学指标中被广泛引用的文章。他的 high-, GOI, flash memory, MIM和 RF devices被引用和列在国际半导体技术蓝图（参考系）。Albert Chin教授在IEDM 和美国和、欧洲，亚洲的其他国际会议中应邀发表演讲，在第62届Device Research Conference中，担任rump section panelist 成员；他还是IEDM2008的某分会主席，IEDM2009的Asian Arrangements 联合主席。
 |
发表于 2009-4-9 10:41:37
楼主
/2 
