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IPFA 2009国际半导体失效分析与可靠性培训邀请函

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发表于 2009-4-9 10:34:55 | 显示全部楼层 |阅读模式
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在科技日益更新的当今社会,产品的失效分析和可靠性日渐被关注,产品出现可靠性与质量问题后要进行专业的失效分析才能帮助产品有更好的品质提升,因此涌现出对失效分析与可靠性高水平技术人才的大量需求。
IPFA是半导体领域失效分析与可靠性的国际顶级会议。为培养失效分析与可靠性技术人才,满足国内外半导体方面专业人员技术提高的愿望,建立国际相关行业信息与技术交流平台,解决相关企业遇到失效分析与可靠性问题时的疑点和盲区、打破理论与实际脱钩的窘境、达到失效现象与失效原因直接挂钩、提高产品可靠性的效果,我们特决定在苏州举办此次面向国际的IEEE国际半导体失效分析与可靠性培训。
本次培训特别邀请15位来自中、美、欧洲、新加坡、日本及亚太其他各国及地区专家作培训讲座与技术交流,具体事宜通知如下:
 
时间:200976-10苏州独墅湖高教区
参加对象:失效分析工程师、可靠性工程师、研发与工程技术人员、质量工程师、工艺工程师、制造工程师、设计工程师、供应商管理工程师、研发/工程/采购/质量经理、研究员、相关专业教授、博士生、研究生等。
承办执行单位:华碧检测FA LAB
承办执行独家协助单位:北京怀远文化传媒有限公司
培训证书:IEEE IPFA2009技术委员会培训证书/中国电子电器可靠性工程协会培训证书
注:IPFA2009介绍
16IEEE国际集成电路物理与失效分析会议(IPFA2009)由IEEE南京分会主办,IEEE Reliability/CPMT/ED新加坡分会协办、由IEEE 电子器件协会与IEEE可靠性协会提供技术支持。IPFA2009是在中国举办的有关集成电路与器件方面规模最大、影响最大的国际会议。会议将为期五天,包括两天的技术培训讲座、三天的论文发表与研讨技术交流,同时并行三天的设备展览
培训讲座议程 (200976-7)(拟)

            
 

            
            
200976--两个课程同时进行

            
            
200977--两个课程同时进行

            
            
早上

            
8:30

            
开始

            
            课题1:光发射与光学显微技术在集成电路失效分析中的应用
            
Jacob C.H.Phang教授,新加坡国立大学

            
            课题5:光伏产品的可靠性与失效机理
            
Liang Ji , UL, 美国

            
            课题2:集成电路的静电放电及其保护电路设计
            
J.J. Liou教授,中佛罗里达大学, 美国

            
            课题6:先进非挥发性存储器技术及其可靠性
            
Guoqiao Tao博士,NXP, 荷兰

            
            
下午

            
1330

            
开始

            
            课题3:失效分析概述及其挑战
            
Susan Li博士,飞索半导体,美国

            
            课题7:光伏产品的可靠性与失效机理
            
待定

            
            课题4: 材料科学在电子封装失效分析中的应用
            
Tim Fai Lam博士,飞索半导体,中国

            
            课题8:栅介质可靠性:物理击穿及统计分析
            
Ernest Wu博士,IBM, 美国

            

研讨会议程(200978-10日)(拟)

            
2009年7月8号

            
            
2009年7月9号

            
            
2009年7月10号

            
            
早晨8:30---10:15

            
会议 1:

            
开幕典礼

            
            
早晨8:30---10:15

            
会议 5:

            
光伏、光电技术、可靠性和失效机理

            
            
早晨8:30---10:15

            
会议 9:

            新型栅堆叠/栅介质,FEOL可靠性及其失效机理
            
            
茶歇10:15

            
            
茶歇10:15

            
            
茶歇10:15

            
            
上午10:35---12:20

            
会议2:

            
            
            
上午10:35---12:20

            
会议6:

            芯片级、封装级、板级、系统级的工艺与技术、失效分析案例研究以及失效机理研究2
            
            
上午10:35---12:20

            
会议10:

            新兴材料特性、样品制备与检测分析技术
            
            
午餐12:20

            
            
中午12:35---下午3:10

            
会议7:

            
午餐/ 论文海报/失效分析照片欣赏

            
            
午餐12:20

            
            
下午1:40---3:10

            
会议 3:

            芯片级、封装级、板级、系统级的工艺与技术、失效分析案例研究以及失效机理研究1
            
            
下午1:40---3:10

            
会议11:

            
先进的可靠性评估和方法

            
            
茶歇3:10

            
            
茶歇3:10

            
            
茶歇3:10

            
            
下午3:30---5:00

            
会议4:

            先进互连技术和BEOL可靠性及其失效机理
            
            
下午3:30---5:00

            
会议8:

            
先进物理分析技术与失效分析技术2

            
            
下午3:30---5:00

            
会议12:

            
新颖器件技术与可靠性及失效机理

            
            
闭幕典礼

            

课程提纲(拟)

<div align="center">[table]            [tr]            [td=1,1,362]            
培训讲座课题提纲

            课题1:光发射与光学显微技术在集成电路失效分析中的应用
            Jacob C.H. Phang教授,新加坡国立大学
            课题2:集成电路的静电放电及其保护电路设计
            J.J. Liou教授,中佛罗里达大学,美国
            课题3:失效分析的概述及其挑战
            Susan Li博士,飞索半导体,美国
            1、失效分析概述
            a)         失效分析人员应具备的基本素质
            b)        失效分析流程中的关键步骤
            c)        失效分析的价值
            d)        失效分析发展方向
            2IC元器件失效分析案例讲解
            a) IC直流参数性失效中电路分析的难处典型案例
            b)从工艺过程与模拟试验挖掘失效原因的典型案例
            c)闪存IC功能性失效的失效分析的典型案例PVC技术对芯片物理失效分析的典型案例
            dESD静电放电失效与EOS过电失效的现象区别
            3、失效分析检测设备与技术手段概论
            a)外观光学显微分析
            b)电学失效验证
            cX-ray透视检查
            dSAM声学扫描观察
            e)开封Decap
            f)内部光学检查
            gEMMI光电子辐射显微观察
            <div style="text-indent: 15.45pt; line-height: 150%">h)离子蚀刻、剥层分析
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