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如何估算MOS管的驱动电流?

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发表于 2012-11-12 14:05:47 | 显示全部楼层 |阅读模式
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第一种:
可以使用如下公式估算:
Ig=Qg/Ton
其中:
Ton=t3-t0≈td(on)+tr
td(on):MOS导通延迟时间,从有驶入电压上升到10%开始到VDS下降到其幅值90%的时间。
Tr:上升时间。输出电压VDS从90%下降到其幅值10%的时间
Qg=(CEI)(VGS)或Qg=Qgs+Qgd+Qod (可在datasheet中找到) 
第二种:(第一种的变形)
密勒效应时间(开关时间)Ton/off=Qgd/Ig;
Ig=[Vb-Vgs(th)]/Rg
Ig:MOS栅极驱动电流;Vb:稳态栅极驱动电压; 
第三种:
以IR的IRF640为例,看DATASHEET里有条Total Gate Charge曲线。该曲线先上升然后几乎水平再上升。水平那段是管子开通(密勒效应)假定你希望在0.2us内使管子开通,估计总时间(先上升然后水平再上升)为0.4us,由Qg=67nC和0.4us可得:67nC/0.4us=0.1675A,当然,这是峰值,仅在管子开通和关短的各0.2us里有电流,其他时间几乎没有电流,平均值很小,但如果驱动芯片不能输出这个峰值,管子的开通就会变慢。

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