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超高速NAND FLASH阵列控制器

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发表于 2011-12-22 13:07:24 | 显示全部楼层 |阅读模式
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NAND FLASH Controller IP Core
NAND FLASH Controller
NAND FLASH控制器
 
我是一位在职者(北京),专业从事FPGA接口设计,有较多的空余时间,对FPGA有比较丰富的项目经验(6年)。
熟练使用Xilinx/Altera FPGA,熟悉NAND FLASH接口时序。
 
自行编写NAND FLASH Controller/控制器,可以以源代码(VHDL语言)或网表形式(提供使用手册)提供,功能包括:
1. NAND Flash物理接口时序:支持PAGE READ、PROGRAM PAGE、BLOCK ERASE、RESET、READ ID、READ
STATUS、Set/Get Feature等命令集和相关时序
2. Nand Flash阵列的流水线管理:流水线化PROGRAM PAGE,使Nand Flash阵列的存储速度最大化;流水线管理NAND
FLASH阵列的PAGE READ、BLOCK ERASE、RESET、READ ID等操作
3. Nand Flash阵列的坏块检测:检测NAND FLASH的原始出厂坏块
4. Nand Flash阵列的坏块管理:在Nand Flash阵列的PROGRAM PAGE和PAGE READ过程中,剔除NAND
FLASH的坏块,产生有效的块地址
5. Nand Flash阵列的ECC:256 byte数据生成3 byte ECC编码,使用3 byte ECC编码能够纠正256
byte数据中的1个bit错误,检测2个bit以上的错误
 
NAND FLASH Controller自动进行坏块管理以及ECC纠错,坏块表可存储于FPGA内部RAM块或片外SRAM。
 
NAND FLASH控制器的用户接口友好,基本上都是DPRAM或FIFO接口,状态信号是I/O接口,易于使用。
 
此NAND FLASH控制器既可以适应简单的单片NAND FLASH应用,也可以适应NAND FLASH阵列应用,并且可以适应各种各样的NAND
FLASH芯片型号。
 
8x8(8行8列:8个片选,64位数据总线) NAND FLASH阵列的存储速度可达380MB/S。
 
FPGA内部可以嵌入多个NAND FLASH控制器,每个控制器的存储速度可达380MB/S。如果嵌入4个NAND
FLASH控制器,那么存储速度可达1520MB/S。
 
此NAND FLASH控制器多次在实际项目中使用,被证明稳定可靠。
 
如有NAND FLASH接口开发相关方面的技术合作,可随时联系我。
联系方式:fpga_coop@163.com
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