晶体振荡电路设计中文版

L月

在该应用手册中，我们将讨论我们推荐给您的晶振电路设计方案，并解释电路中的各个元器件
的具体作用，并且在元器件数值的选择上提供指导。最后，就消除晶振不稳定和起振问题，我们还
将给出一些建议措施。
在并联谐振模式下，电抗线中fs到fa的斜线区域内，通过调整晶振的负载，如图2，晶振都可以
振荡起来。MX-COM所有的晶振电路都推荐使用并联谐振模式的晶振。
图3所示为推荐的晶振振荡电路图。这样的组成可以使晶振处于并联谐振模式。反相器在芯片内
体现为一个AB型放大器，它将输入的电量相移大约180° 后输出；并且由晶振，R1，C1和C2组成的
π型网络产生另外180°的相移。所以整个环路的相移为360°。这满足了保持振荡的一个条件。其它的
条件，比如正确起振和保持振荡，则要求闭环增益应≥1。
反相器附近的电阻Rf产生负反馈，它将反相器设定在中间补偿区附近，使反相器工作在高增益
线性区域。电阻值很高，范围通常在500KΩ ~2MΩ内。MXCOM的有些芯片内置有电阻，对于具体
的芯片，请参考其外部元器件选用说明书。
下载：晶体振荡电路设计.rar