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明早10：00 在线研讨会 （vishay的最后冲刺）

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发表于 2009-9-3 18:25:16 | 显示全部楼层 |阅读模式
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Vishay新型高压MOSFET的特点及应用
  时间：2009-09-16  10:00-12:00
        简介：在此次的新产品介诏,以技术面来看,可以分为二种. 
        一为传统的 Planar topology, 另一为Super Junction topology. 
        最大的差别是Super Junction technology 可以达到最佳化的Qg*Rds(on)  
        当然在市场上也称为CoolMOS（Infineon）,为大家所认知的。 
  预先登记：http://webcast.ednchina.com/114/Content.aspx 
 

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