《模拟CMOS集成电路设计》Razavi中文版

lhjzh

RE:《模拟CMOS集成电路设计》Razavi中文版

lotuszx

好东西，谢谢分享，学习一下

joyingkin

谢谢分享！

asoscjn

回复第 1 楼 zhaigaoye于2008-10-09 02:01:07发表:
本书介绍模拟CMOS集成电路的分析与设计。从直观和严密的角度阐述了各种模拟电路的基本原理和概念，同时还阐述了在SOC中模拟电路设计遇到的新问题及电路技术的新发展。本书由浅入深，理论与实际结合，提供了大量现代工业中的设计实例。全书共18章。前10章介绍各种基本模块和运放及其频率响应和噪声。第11章至第13章介绍带隙基准、开关电容电路以及电路的非线性和失配的影响，第14、15章介绍振荡器和锁相环。第16章至18章介绍MOS器件的高阶效应及其模型、CMOS制造工艺和混合信号电路的版图与封装。
gg
目录：
第1章 模拟电路设计绪论
1. 1 研究模拟电路的重要性
1. 2 研究模拟集成电路的重要性
1. 3 研究CMOS模拟集成电路的重要性
1. 4 本书的特点
1. 5 电路设计的一般概念
1. 5. 1 抽象级别
1. 5. 2 鲁棒模拟电路设计
1. 5. 3 符号
第2章 MOS器件物理基础
2. 1 基本概念
2. 1. 1 MOSFET开关
2. 1. 2 MOSFET的结构
2. 1. 3 MOS符号
2. 2 MOS的I／V特性
2. 2. 1 阈值电压
2. 2. 2 I／V特性的推导
2. 3 二级效应
2. 4 MOS器件模型
2. 4. 1 MOS器件版图
2. 4. 2 MOS器件电容
2. 4. 3 MOS小信号模型
2. 4. 4 MOS SPICE模型
2. 4. 5 NMOS与PMOS器件的比较
2. 4. 6 长沟道器件与短沟道器件的比较
附录A：用作电容器的MOS器件的特性
习题
第3章 单级放大器
3. 1 基本概念
3. 2 共源级
3. 2. 1 采用电阻负载的共源级
3. 2. 2 采用二极管连接的负载的共源级
3. 2. 3 采用电流源负载的共源级
3. 2. 4 工作在线性区的MOS为负载的共源级
3. 2. 5 带源极负反馈的共源级
3. 3 源跟随器
3. 4 共栅级
3. 5 共源共栅级
3. 5. 1 折叠式共源共栅
3. 6 器件模型的选择
习题
第4章 差动放大器
4. 1 单端与差动的工作方式
4. 2 基本差动对
4. 2. 1 定性分析
4. 2. 2 定量分析
4. 3 共模响应
4. 4 MOS为负载的差动对
4. 5 吉尔伯特单元
习题
第5章 无源与有源电流镜
5. 1 基本电流镜
5. 2 共源共栅电流镜
5. 3 有源电流镜
5. 3. 1 大信号分析
5. 3. 2 小信号分析
5. 3. 3 共模特性
习题
第6章 放大器的频率特性
6. 1 概述
6. 1. 1 密勒效应
6. 1. 2 极点与结点的关联
6. 2 共源极
6. 3 源跟随器
6. 4 共栅级
6. 5 共源共栅级
6. 6 差动对
附录A：密勒定理的对偶
习题
第7章 噪声
7 

xusupengsunwei

很想看看这本书,提高一下!

joanne180

很好的东西 谢谢分享

zw1035961900

回复第 1 楼 zhaigaoye于2008-10-09 02:01:07发表:
本书介绍模拟CMOS集成电路的分析与设计。从直观和严密的角度阐述了各种模拟电路的基本原理和概念，同时还阐述了在SOC中模拟电路设计遇到的新问题及电路技术的新发展。本书由浅入深，理论与实际结合，提供了大量现代工业中的设计实例。全书共18章。前10章介绍各种基本模块和运放及其频率响应和噪声。第11章至第13章介绍带隙基准、开关电容电路以及电路的非线性和失配的影响，第14、15章介绍振荡器和锁相环。第16章至18章介绍MOS器件的高阶效应及其模型、CMOS制造工艺和混合信号电路的版图与封装。

目录：
第1章 模拟电路设计绪论
1. 1 研究模拟电路的重要性
1. 2 研究模拟集成电路的重要性
1. 3 研究CMOS模拟集成电路的重要性
1. 4 本书的特点
1. 5 电路设计的一般概念
1. 5. 1 抽象级别
1. 5. 2 鲁棒模拟电路设计
1. 5. 3 符号
第2章 MOS器件物理基础
2. 1 基本概念
2. 1. 1 MOSFET开关
2. 1. 2 MOSFET的结构
2. 1. 3 MOS符号
2. 2 MOS的I／V特性
2. 2. 1 阈值电压
2. 2. 2 I／V特性的推导
2. 3 二级效应
2. 4 MOS器件模型
2. 4. 1 MOS器件版图
2. 4. 2 MOS器件电容
2. 4. 3 MOS小信号模型
2. 4. 4 MOS SPICE模型
2. 4. 5 NMOS与PMOS器件的比较
2. 4. 6 长沟道器件与短沟道器件的比较
附录A：用作电容器的MOS器件的特性
习题
第3章 单级放大器
3. 1 基本概念
3. 2 共源级
3. 2. 1 采用电阻负载的共源级
3. 2. 2 采用二极管连接的负载的共源级
3. 2. 3 采用电流源负载的共源级
3. 2. 4 工作在线性区的MOS为负载的共源级
3. 2. 5 带源极负反馈的共源级
3. 3 源跟随器
3. 4 共栅级
3. 5 共源共栅级
3. 5. 1 折叠式共源共栅
3. 6 器件模型的选择
习题
第4章 差动放大器
4. 1 单端与差动的工作方式
4. 2 基本差动对
4. 2. 1 定性分析
4. 2. 2 定量分析
4. 3 共模响应
4. 4 MOS为负载的差动对
4. 5 吉尔伯特单元
习题
第5章 无源与有源电流镜
5. 1 基本电流镜
5. 2 共源共栅电流镜
5. 3 有源电流镜
5. 3. 1 大信号分析
5. 3. 2 小信号分析
5. 3. 3 共模特性
习题
第6章 放大器的频率特性
6. 1 概述
6. 1. 1 密勒效应
6. 1. 2 极点与结点的关联
6. 2 共源极
6. 3 源跟随器
6. 4 共栅级
6. 5 共源共栅级
6. 6 差动对
附录A：密勒定理的对偶
习题
第7章 噪声
7 

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zc3521685

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chenxing-17544

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kqsadam

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