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igbt 应用中的常见问题分析

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发表于 2013-2-5 15:03:04 | 显示全部楼层 |阅读模式
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  显然,igbt 是作为逆变器的开关元件应用到各个系统中的,常用的控制方法是pwm 法。理论上和事实上都已经证明,如果把pwm 逆变器的开关频率提高到20khz 以上,逆变器的噪声会更小,体积会更小,重量会更轻,输出电压波形会更加正弦化,可见,高频化是逆变技术发展方向【1】。但是通常的pwm 逆变器中,开关器件在高电压下导通,在大电流下关断,处于强迫开关过程,在高开关频率下运行时将受到如下一系列因素的限制:
  igbt 为四层结构,使体内存在一个寄生晶闸管,等效电路如图4 所示。在npn 管的基极与发射极之间存在一个体区短路电rs,p 型体区的横向空穴流会产生一定的压降,对j3 来说相当于一个正偏置电压。在规定的范围内,这个正偏置电压不大,npn 管不会导通。当ic大于一定程度时,该正偏置电压足以使npn 管开通,进而使npn 和pnp 管处于饱和状态,于是寄生晶闸管开通,栅极失去控制作用,即擎住效应,它使ic 增大,造成过高的功耗,甚至导致器件损坏。温度升高会使得igbt 发生擎住的icm 严重下降【2】。在igbt 关断的动态过程中,如果dvce/dt 越高,则在j2 结中引起的位移电流cj2dvce/dt 越大,当该电流流过体区短路电阻rs 时,可产生足以使npn 晶体管开通的正向偏置电压,满足寄生晶闸管开通擎住的条件,形成动态擎住效应。温度升高会加重igbt 发生动态擎住效应的危险。
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发表于 2014-3-10 11:50:58 | 显示全部楼层

回复:igbt 应用中的常见问题分析

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