28335性能测试的一些笔记

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烧写运行与在线仿真
3.1RAM在线仿真
编译完成之后，直接file——load program进去之后就可以跑了；

它测试的时间会比烧写到flash里面快很多，实际应用都是烧写，所以这种比较好像并没有意义，真正有意义的是下面两种；

3.2FLASH烧写运行
从RAM在线运行到flash烧写运行，需要改的地方：

Ø  主函数里面：使用MemCopy函数将代码运行地址从RAM拷到flash里面；初始化FLASH，比如使能管道，可以提升速度，另外根据最高频率，设置最快翻页和等待时间：

Ø  CMD文件中：将指定段分配到具体的物理位置：

Ø  另外，不能再flash内部初始化flash,就是不能自己对自己操作，所以有了CMD文件里面的load出来，同时在源文件里面要对这个块进行指定：

#pragma CODE_SECTION(InitFlash, "ramfuncs");

Ø  总结一下：其实程序真正是到load到ram里面，还是烧写到FLASH里面，是CCS里面点击不同按钮操作来决定的。上述的三个步骤只是保证烧写到flash里面可以正常运行而已：需要初始化flash，但是不能自给初始化自己，所以要将初始化代码，先指定一个段，然后再CMD中将该段设置为烧写后load。同时在主函数里面执行将该段代码复制出来再运行；应该就是这个逻辑！

3.3FLASH烧写、LOAD运行
Ø  与上一节烧写类似，上一节可以将FLASH初始化函数load出来运行，其他的load出来运行的步骤也是一样：指定代码分配；主函数里面复制代码，执行代码；CMD将指定的块分配到具体物理空间；

Ø  Load运行主要用于某些对时间要求高的场合，烧写之后，如果load出来，速度大概可以达到百分之八十。应用场合包括，某些中断里面的反复做的控制等

3.4疑问
Ø  MemCopy函数中使用到的变量，举例：

MemCopy(&RamfuncsLoadStart,&RamfuncsLoadEnd, &RamfuncsRunStart);

这些变量的定义：

extern Uint16RamfuncsLoadStart;

但是并没有初始化，这一句也不知道是在这里定义还是只是在这里引用。我理解的是它是在编译器内部定义了的，这里只是一个引用申明：x的其实地址就是xLoadStart,以此类推。因为我自己使用的段，也可以这样使用，说明是编译器在管理；

4.外设
4.1ePWM
6路12个PWM，也可以配置为高精度PWM（这个自己没用过）。可用于三电平逆变器的控制，12路既可以对称控制，也可以单独控制；控制单元主要分为七个模块：

时基模块：确定计数周期，计数模式（上、下、上下）；

计数比较模块：计数比较寄存器；

动作模块：配置计数比较相匹配的模式（与周期相等，与零相等等），以及动作类型（置位、复位、翻转）；

死区模块：产生对称或者独立波形，死区设置；

斩波和错误联防：这两个模块没有使用过；

事件触发模块：计数值等于某个设定值后触发指定动作，可用于触发ADC，从而在中断里面实现采样控制；

4.2eCAP
该模块是复用的：6个既可以用于PWM产生——只能产生独立的PWM，也可以用于捕获上升沿或者下降沿；

4.3ADC
4.3.1采样
Ø  电流采样，主要采用CT进行；电压采样，既可以用PT，也可以用一串电阻串联，从中某个电阻取电压；

Ø  电流采样之后，一般也要经过一个电阻，转化为电压信号，再到后面进行处理

4.3.2调理
Ø  最基本的电压跟随器，解除负载效应；

Ø  使用二极管限幅，因为调理之后就要输入ＡＤＣ模块，该模块有幅值限制；

Ø  对于交流量，可能会使用一个加法电路，叠加一个直流量，将信号提到ＡＤＣ接受的范围内；

Ø  使用电容等构成滤波电路，这个截止频率很大，用于稳压，滤掉极高频分量；

4.3.3ADC
Ø  主要看两个指标：转换精度——用转换位数来表示，比如１２位代表最大值３Ｖ只能转换到４０９５，如果位数增加，转换精度则增加；转换速度——这个可以配置，自己没有亲自动手配置过；

Ø  ＡＤＣ有多种转换方法，在数字电路里面有详细，但是在ＤＳＰ里面只需要封装好，不需要去管这些内部细节；

Ø  ＡＤＣ模块可以配置为单独两组８个，也可以级联为一组１６个；可配置转换数量，转换储存位置；可触发中断；