MSP430内部FLASH介绍

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1.Msp430的Flash存储器的特点有：
1）产生内部编程电压
2）可位、字节、字编程，可以单个操作，也可以连续多个操作
3）超低功耗操作
4）支持段擦除和多段模块擦除

2 Flash存储器的分割
    Msp430Flash存储器分成多个段。可对其进行单个字节、字的写入，也可以进行连续多个字、字节的写入操作，但是最小的擦除单位是段。
Flash 存储器被分割成两部分：主存储器和信息存储器，两者在操作上没有什么区别。两部分的区别在于段的大小和物理地址的不同。
以Msp430F149为例，信息存储器有两个128字节的段，即segmentA和segmentB，主存储器有多个512字节的段。Msp430F149内部Flash的地址为0x1000H~0xFFFFH，计60K。信息段SegA的起始地址为0x1080H，信息段SegB的起始地址为0x1000H。

3 Flash存储器的操作
    在默认状态下，处于读操作模式。在读操作模式中，Flash存储器不能被擦除和写入，时序发生器和电压发生被关闭，存储器操作指向ROM区。Msp430 Flash存储器在系统编程ISP（in-system programmable）不需要额外的外部电压。CPU能够对Flash直接编程。Flash存储器的写入/擦除通过BLKWRT、WRT、MERAS、ERASE等位确定。

3.1 擦除
    Flash存储器各位的缺省值为1，每一位都可以单独编程为0，但只有擦除操作才能将其恢复为1。擦除操作的最小单位是段。通过erase和meras位设置可选择3种擦除模式。擦除操作开始于对擦除的地址范围内的任意位置执行一次空写入。空写入的目的是启动时序发生器和擦除操作。在空写入操作之后，BUSY位自动置位，并保持到擦除周期结束。BUSY、MERAS、ERASE在擦除周期结束后自动复位。

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//如果擦除一段，则设置ERASE=1

//如果擦除多段，则设置MERAS=1

//如果擦除整个FLASH，则设置RASE=1，同时MERAS=1

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voidEraseSectorFlash(unsigned int wAddr)

{

    unsigned char reg1,reg2;  

    reg1=_BIC_SR(GIE);  

    reg2=IE1;                        // 保护有关中断标志

    IE1=0;                           // 关闭IE1中断

    while(FCTL3&BUSY);               // 等待FLASH编程结束

    FCTL3 = FWKEY;                    

    FCTL1 = FWKEY+ERASE;             // 发送FLASH擦除命令

*(unsigned char *)wAddr=0;       // 启动擦除操作

    while(FCTL3&BUSY);               // 等待擦除操作完成

FCTL1 = FWKEY;                   // 撤销任何对FLASH的操作命令

    FCTL3 = FWKEY+LOCK;             // 对FLASH内容进行加锁保护

    if(reg1&GIE) _BIS_SR(GIE);       // 恢复中断标志

    IE1=reg2;      

    return;

}

3.2 写入
    写入模式由WRT和BLKWRT位进行设置。所有的写入模式使用一系列特有的写入命令，采用块写入的速度大约是单个写入的2倍，因为电压发生器在块写入完成器件均能保持。对于这两种写入模式，任何能修改目的操作数的指令均能用于修改地址。一个Flash字不能再擦除器件进行两次以上的写入。当启动写入操作时，BUSY置位，写入结束时复位。

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//向wAddr中写入bLen字节

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voidWriteFlash(unsigned int wAddr,unsigned char *bBuf,unsigned char bLen)

{

    unsigned char reg1,reg2;

    reg1=_BIC_SR(GIE);

    reg2=IE1;IE1=0;                   // 保护原来中断标志，并关闭有关中断。   

                                       // 写一个字节数据到指定flash地址

    while (bLen--)

     {

       while (FCTL3&BUSY);             // 等待以前FLASH操作完成

       FCTL3 = FWKEY;     

       FCTL1 =FWKEY+WRT;               // 发送写flash命令

       *(unsigned char *)wAddr++=*bBuf++;      

       while(FCTL3&BUSY);              // 等待写操作完成

       FCTL1 = FWKEY;      

       FCTL3 = FWKEY+LOCK;             // 对FLASH内容进行加锁保护

     }

     if(reg1&GIE) _BIS_SR(GIE);           // 恢复中断标志

        IE1=reg2;         

     return;

}

3.3  读取

根据查看的书籍资料和网络资料得出，内部Flash的读取操作没有顺序的要求，一般Flash默认的操作方式即为读模式。读取Flash的程序代码如下：

voidReadFlash(unsigned int wAddr,unsigned char *bBuf,unsigned char bLen)

{

   while (bLen--)

     *bBuf++=*(unsigned char *)wAddr++;

   return;

}