横河测试测量：低维半导体材料研究的意义。

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　　横河测试测量普及低维半导体材料研究的意义，半导体材料的发展目前共经历了三代，第一代材料是硅和锗，第二代材料是砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)，第三代半导体材料是以碳化硅和氮化镓为代表的宽带隙半导体材料。在不同的领域使用的半导体材料不同，各种半导体材料形成互补的关系。

　　随着器件小型化的不断发展和集成度的不断提高,传统的硅基半导体器件已经逼近了其极限尺寸，趋向于纳米级，到达这一尺寸后，一系列来自器件工作原理和工艺技术本身的物理限制以及制造成本大幅度提高等将成为难以克服的问题。与此同时,随着实验制备工艺和合成技术的发展,越来越多的纳米材料和纳米结构不断涌现出来，半导体材料有从三维体材料向低维材料方向发展的趋势。

　　目前，基于GaAs和InP基的低维材料已经发展得很成熟，而以氮化镓、碳化硅、氧化锌等为代表的第三代半导体材料也发展很快，这些材料都是宽带隙半导体材料。它具有禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度快、介电常数小等特征，能够在很多领域得到广泛应用。半导体纳米科学技术的应用，将从原子、分子、纳米尺度水平上，控制和制造功能强大、性能优越的人工微结构材料和基于它们的器件、电器与电路，使人类进入变幻莫测的量子世界，从而引发新的技术革命。