无线充电技术方案经验分享

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无线充电经过去年的爆发式增长之后，今年开始趋于平缓发展，在目前的qi协议无线充电方案中主要有这么几种构架：MCU+驱动电路+功率电路、MCU+微型IPM构架电路、SoC芯片电路。这些方案各有优势和劣势，今天来简单介绍一下MCU+IPM构架的无线充电方案。

                XS016主控+全桥SN-D06 IPM
       这种无线充电方案比MCU+驱动的方案外围电路要简洁，效率也会更高，与SoC方案的外围电路接近，但它比那两种的成本要低许多。其中微型IPM集成了驱动电路+功率mos管+LDO，可有效改善无线充电普遍存在的发热高、效率低、外围电路复杂等问题。

                           MCU+IPM构架图
       这种方案除了少数电阻电容以外，只有两个主要元器件：主控和高集成度的全桥/半桥芯片，其中SN-D06集成了全桥驱动芯片、功率MOS、LDO等。采用SOP16和SOP8封装，更加有利于生产加工，也有利于降低元件成本。

                      主控+半桥SN-D05 IPM构架

                  微型IPM部分规格说明
        这种构架主要应用于10W/7.5W快速无线充电电路中，会逐渐取代MCU+驱动+MOS方案，而且还具有如下特点：
1、可以实现三星、苹果快充，兼容小米、华为等5W无线充电（部分也可以实现快充）；
2、效率高，温度低。手机测试，板子温度在45℃左右；
3、电路构架简单，外围零件少，成本低；
4、电源输入可以支持QC2.0、QC3.0等协议；
实际测试：
我们通过使用无线充电测试器发现，接收端可以达到9V/1.2A的电流，足以满足三星的10W快充了。

                           测试器测试接收功率
        使用专业测试仪器测试一个小时，跟踪记录下测试数据（室内测试，室温23℃，未恒温。）：

                                  测试曲线图
        总结：全集成的XS016MCU+微型IPM芯片无线充电构架，集成度高，电路元件少，性能稳定，发热低，BOM成本低，是一款非常有竞争力的无线充电方案。