培训课程|TI电源管理专题合集，第三弹~

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培训课程|TI电源管理专题合集，第三弹~

哈喽大家好，我们又见面了，上周给大家带来了TI专属电源课程，16大主题其中八期，让你从理论基础到深入的动手实验在内的各种培训课程，定制你专属TI宝典，提升您的职业技能！
16大主题分四期为大家解析，今天为大家带来第三期学习课程，包括以下四部分：


一、熟练掌握高压MOSFET/IGBT栅极驱动设计系列视频
二、如何驱动碳化硅MOSFET以优化高功率系统的性能和可靠性系列视频
三、碳化硅和氮化镓器件在高频电源中的应用
四、门驱动器设计-从基础到细节

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熟练掌握高压MOSFET/IGBT栅极驱动设计系列视频           
本篇培训材料在介绍最新的功率半导体栅极驱动的基本要求的基础上深入探讨了电路寄生参数对驱动的设计影响，对比了软开关和硬开关驱动的设计特点和区别，也深入探讨了CMTI及其PCB的优化设计指导。

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如何驱动碳化硅MOSFET以优化高功率系统的性能和可靠性系列视频
本课程概述了碳化硅(SiC)材料的特点以及基于SiC材料的MOSFET的卓越性能，描叙了一些SiC MOSFET的应用领域包括太阳能和电动汽车。 详细讨论了SiC MOSFET的驱动设计要求，以及简单介绍了几款TI SiC MOSFET驱动产品。

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碳化硅和氮化镓器件在高频电源中的应用
新兴的宽禁带(WBG)碳化硅和氮化镓功率器件越来越广泛地应用在电力电子产品中来提升效率和功率密度. 培训内容介绍了WBG功率器件特性, 及应用. 并且详细的分析了开关性能,损耗计算以及测试,仿真技巧。

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门驱动器设计-从基础到细节
最常见栅极驱动器缺陷及如何解决, 内容包括与驱动器偏置、自举电源以及生成高侧偏置所必需的组件选择相关的缺陷。讨论功能引脚开路的影响以及栅极驱动器电路中 dv/dt 噪声的影响。

  

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