以一款光耦可控硅为例，分析其中的电阻问题

geren2014

在光耦可控硅控制当中，电阻是非常重要的器件。但很多新手在接触光耦可控硅当中的电阻时，都会遇到这样那样的问题。

图1

如图1所示，在光耦可控硅驱动可控硅时，这个电阻的作用是什么呢?。通常来说，双向可控硅的触发有4种情况：

T2(或称阳极)+ T1(或称阴极)- G(或称触发极)+;
T2(或称阳极)+ T1(或称阴极)- G(或称触发极)-;
T2(或称阳极)- T1(或称阴极)+ G(或称触发极)+;
T2(或称阳极)- T1(或称阴极)+ G(或称触发极)-;

也就是说，无论双向可控硅两端是交流电的正半轴，还是负半周，触发极都可以通过高和低两种情况进行触发，根据这条原理，图1中在MOC3041关断时，如果遇到T2(或称阳极)-T1(或称阴极)+正好满足G(或称触发极)+的话，那么可控硅不是又触发了吗?

这是否意味着当MOC3041不工作时，双向可控硅会在负半周继续工作，相当于单向可控硅的功能?

实际上，G的触发极性是相对于T1来说的。当3041关断时，其微小的漏电流被并联在G和T1间的电阻所旁路，使得其上面的电压很低----近似等于0，远小于触发所需的电压。所以根本不会发生触发，不管是正半周还是负半周。

当交流负半周 即T1+T2-时，G极和T1等电位，不高于T1，也不会低于T1(在3041关断时)，所以不会出现负半周工作的情况。而这个电阻旁路掉3041的漏电流，可以很好的关断可控硅。

通过以上的介绍可以看到，图1中的电阻能够非常顺利的对漏电流进行屏蔽，并达到关断可控硅的目的。当然，这种分析只是对光耦可控硅电阻使用过程中众多使用方法中的其中一种。还有很多情况是文中未涉及到的，需要大家通过设计来积累经验。