为鼓励大家动手动脑，早日成为技术大牛。电路城论坛现在推出#每日一练#栏目，由版块版主出题及提供答案，内容涉及电源，射频，单片机等各种技术话题。我们会在周一至周五的早上10：30更新问题和前天问题的解题思路及答案。欢迎大家参与。
本期内容来源于：
模拟狂人，电子信息工程专业，全国大学生电子竞赛省二等奖获得者，对模拟电子技术、数字电子技术、单片机技术学习有丰富经验。现主要从事ARM开发工作，有丰富项目经验。
随着漏电断路器使用推广及人民生活水平提高，家用电器等设备增加，而家用电器普遍存在感性负载和容性负载，这些负载在使用中易产生感应电动势、浪涌电压以及冲击电流，从而要求漏电断路器对抗浪涌电压、冲击电流等干扰的能力越来越强，使漏电断路器在各种情况下能可靠使用，确保漏电断路器不出现误跳和失效现象。 断路器三相同时通电时，经过全桥整流之后加在可控硅两端的直流电压超过500V，对单个可控硅的参数要求非常高，目前主流产品都是采用双硅串联的电路，以此降低单个可控硅两端的直流电压，提高可控硅触发电路的可靠性和稳定性。现有技术采用的双硅串联电路如下图所示，只是简单的把两个可控硅串联起来，当漏电IC芯片检测到漏电信号达到跳闸阈值时，跳闸信号输出引脚输出高电平，可控硅SCR2触发，继而可控硅SCR1触发，从而使得漏电断路器线圈脱扣。从图1可以看出，断路器正常通电情况下，整流之后的直流电压几乎全部加在可控硅SCR1上，SCR2并没有起到分担电压的作用。若可控硅SCR1性能参数不良被击穿时，线路中的高直流电压非常容易再次击穿可控硅SCR2，导致漏电断路器直跳异常现象的发生。这种线路对单个可控硅的参数性能要求依旧很高，并没有充分利用双硅串联的可靠性。
答案：
想成为论坛版主？想在#每日一练#展现你的技术才华？请联系工程师小助手Q：2740521371
| 
[复制链接]
发表于 2020-3-5 10:47:04
/5 
