浅析MOS管门极驱动电路背后的秘密

geren2014

1)直接驱动

　　电阻R1的作用是限流和抑制寄生振荡，一般为10ohm到100ohm,R2是为关断时提供放电回路的;稳压二极管D1和D2是保护mos管的门]极和源极;二极管D3是加速MOS的关断。

　　（2)互补三极管驱动

　　当MOS管的功率很大时，而PWM芯片输出的PWM信号不足已驱动MOS管时，加互补三极管来提供较大的驱动电流来驱动MOS管。PWM为高电平时，三极管Q3导通,驱动MOS管导通WM为低电平时，三极管Q2导通，加速MOS管的关断;

　　电阻R1和R3的作用是限流和抑制寄生振荡，一般为10ohm到100ohm,R2是为关断时提供放电回路的;二极管D1是加速MOS的关断。

　　（3)耦台驱动(利用驱动变压器耦合驱动)

　　当驱动信号和功率MOS管不共地或者MOS管的源极浮地的时候，比如Buck变换器或者双管正激变换器中的MOS管，利用变压器进行耦合驱动如右图:

　　驱动变压器的作用:

　　1.解决驱动MOS管浮地的问题;

　　2.解决PWM信号与MOS管不共地的问题;3.-个驱动信号可以分成两个驱动信号;4.减少干扰。