【勘误】作者和网友提供的MSP430几本中文书勘误

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《MSP430系列FLASH型超低功耗16位单片机》
P211的最后一行“VR+为VREF+”应为“VR+为××CC"
P92 WDTCTL的位定义中，CNTCL误写为CNCTT。
P165:倒数第10行 UMCTL0(073h)、UMCTL0(07Bh) 应为UMCTL0(073h)、UMCTL1(07Bh)
P185:第7行 UBR00(074h)、UBR00(07Ch) 应为 UBR00(074h)、UBR01(07Ch)
P185:第9行 UBR11(075h)、UBR11(07Dh) 应为 UBR10(075h)、UBR11(07Dh)
P224:倒数第15行 （SPH=1） 应为 （SHP=1）
P226的倒数第12行“选择ADC12SSEL"应为”选择ADC12DIV"

《MSP430系列单片机接口技术及 系统设计实例》
*P1 125us改为125ns
*P3 F123 A/D转换器类型 ADC10应改为slope。
*P5第19行及P14第14行，ksps误写为kbps错误。
*P46 倒数第六行 0FFFA 改为 0FFFEA
*P47 倒数第六行 0FFFA 改为 0FFFEA
*P47 表2.6中倒数第五行 0FFE4 改为 0FFE8A。
*P47 表2.7中倒数第五行 0FFE4 改为 0FFE8A。
*P80 第5行、第9行 取消 改为 取反
*P85 第8行、第11行 BIT #Mask, 0SP 改为BIT #Mask, 0(SP)
*P87 倒数第二行PC应指向0FA32H
*P155 第10行：MCLK 系统主时钟 应改为：SMCLK 子系统时钟
*P280 的LCD Pinout列中，有一个2e误写为de错误。
*P319 第14行：ROP 应改为：POP R9
P155 选择输入输出分频器的分频系数
ID1，ID0
10 1/8分频 改为 11 1/8分频
P257的表3。23中，A5的VR-应为××SS，A3的VR+应为××CC.

《MSP430系列16位超低功耗单片机原理与应用》华师大版
1、 P4：从下往上的第16行，最大约为25mA，应改为6 mA
2、 P4：冲下往上的第15行，200Kb/s，应改为200Ksps
3、 P7、从上往下的第8行，闪速微控制器，应改为“FLASH微控制器”
4、 P11、关于X11X系列的超低功耗说明中
5、P11、3uA @4KHz, 2.2V
6、P11、250uA @1KHz, 2.2V 应改为160uA @1MHz, 2.2V;
7、P11、等待方式 0.8uA 应改为 0.7uA;
8、P11、从等待方式唤醒时间6uS,应改为小于6us;
9、P13：从下往上地3格，P2.3/TA1的说明中捕获 CCI1B输入应该删除
10、P14：从下往上地24行，3uA @4KHz, 2.2V
11、P14：从下往上第19行，从等待方式唤醒时间6uS,应改为小于6us;
12、P17：从上往下第2行，2.5 uA @4KHz, 2.2V
13、P17：从上往下第7行，从等待方式唤醒时间6uS,应改为小于6us;
P17：从上往下第14行，12位200Kbps应改为 200Ksps;
14、P19：P 2.3/CA0/TA1：通用数字I/O引脚/Timer_A，CCI1B输入，比较：OUT1输出
改为 P 2.3/CA0/TA1：通用数字I/O引脚/Timer_A，比较：OUT1输出
15、P20：从下往上第5行，从等待方式唤醒时间6uS,应改为小于6us;
16、P21：从上往下第3行，12位200 Kbps应改为200Ksps
17、P22：P 2.3/CA0/TA1：通用数字I/O引脚/Timer_A，CCI1B输入，比较：OUT1输出
改为 P 2.3/CA0/TA1：通用数字I/O引脚/Timer_A，比较：OUT1输出
18、P24：活动模式 330uA @1KHz, 2.2V 应改为：280uA @1KHz, 2.2V;
待机模式1.1uA；应改为1.6uA
关闭模式（RAM保持）：0.2 uA应改为 0.1 uA;
19、P30：从上往下第7行，
220uA @1MHz, 2.2V 应改为：200uA @1MHz, 2.2V;
20、P30：从上往下第13行，150ns指令周期应改为125ns
21、P33：从下往上第12行，150ns指令周期应改为125ns
22、P33：从下往上第11行，最好分开写，因为TIMER_B有3或7个捕获/比较寄存器
23、P37：从下往上第8行，最好分开写，因为TIMER_B有3或7个捕获/比较寄存器
24、P45：中间表格的引导存储器（FLASH）的FLASH应改为ROM
25、P123：从下往上第7行，只有工作于高频模式才需要外接电容 应改为 工作于高频模式时一定需要外接电容
26、P130：对于XT2OFF
0 关闭XT2 应改为 打开XT2
1 打开XT2 应改为 关闭XT2
27、P139：中间的 最大约25mA应改为6mA
28、P233：中间的图 发送缓冲器 UxRXBUF 应改为 UxTXBUF
29、P234：中间的图 发送缓冲器 UxRXBUF 应改为 UxTXBUF

P191倒数第14行：写时为5AH，应为：写时为0A5H
P191倒数第10行：写时为A5H，应为：写时为0A5H
P192第12行：5AH(写)，应为：0A5H(写)，
P316图5-24 发光二极管应水平翻转。
         
P163 图4-37 画的不对
正确的周期变化情况应为
0-1-2-3-4-3-2-1-0-1-2-1-0-1-2-3-4-3-2-1-0-1-2-1-0-1-2-1-0-1-2-3-4-5-4-3-2-1-0-1-2-1...

2. P229 倒数第6行 0x0A应改为 0x08  


《MSP430系列16位超低功耗单片机原理与应用》清华大学版
TI的asm430中用.SECT，但是在IAR环境下这是不能编译的，要用RSEG
P94 第3行 JMP #RAMEND-RAMSTRT+1,R4
应该改为CMP #RAMEND-RAMSTRT+1,R4
P94 第21行 DECD R5 应改为INCD R5
P237，图下开始数第9行，TXTEPT应该是TXEPT
P262,ADC12CTL0各位寄存器的表格，ADC12TOVIE该改成ADC12OVIE
p153 mclk该为smclk
p268 倒数第8行，enc必须先复位然后再次复位。第二个 复位改为置位



《MSP430系列16位超低功耗单片机实践与系统设计》
P104~105页P4OUT和P4DIR用错了

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