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HTFLASHEVM 评估模块

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发表于 2012-12-6 17:15:07 | 显示全部楼层 |阅读模式
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HTFLASHEVM 用于在极端环境下验证 SM28VLT32。出厂后的 EVM 可经受温度最高 200°C 的测试,但以下情况例外。去耦电容器需要从标准温度范围更换为额定 200°C 通孔组件。此操作用于在只需要室温协议开发的系统上节省电路板成本。提供了备选 BOM 数据,用于针对烤箱内的测试获取合适的 200°C 电容器。此外,让整个板曝露于烤箱温度之前,应该移除已安装引脚的塑料隔离器。EVM 提供 100-mil berg 型引脚,用于连接 SPI 控制引脚(CS#、SO、SI、SCK)、FLCLK、WP#、HOLD# 和电源。除此之外,布局还为振荡器提供了空间,用于容纳独立的 12MHz 或频率更低的振荡器。

特性

           
  • 适合高温环境的 32 兆位闪存       
  • 兼容串行外设接口 (SPI)(模式 0 和 3)       
  • 3.3V 电源用于 IO,1.8 V 电源用于内核       
  • 2M x 16 位字存取       
  • 异步读取、写入和擦除操作       
  • 12MHz 的最高时钟频率       
  • 寿命:TBD 程序和擦除周期       
  • 数据保留:1000 小时       
  • ESD 保护:2kV HBM,500V CDM       
  • 8mm x 20mm 14 引脚陶瓷封装

HTFLASHEVM用户指南.pdf

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