(SiC功率元器件) 全SiC模块损耗模拟器

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本文将介绍使用了全SiC模块的设计和评估支持工具。
全SiC模块损耗模拟器
ROHM免费提供可用来探讨和选用全SiC模块的损耗模拟器。仅需选择全SiC模块并设置输入条件，就可以对模块内部的晶体管和二极管的损耗和温度进行仿真。
这是输入画面示例。

G为Power Factor（功率因数），H为调制比，K为散热器温度，其他如字面所述。接下来是输出画面。

A显示出模块内部每个晶体管的损耗P-Tr、P-Tr的SW损耗和DC损耗明细、以及SW损耗的SW(on)和SW(off)损耗明细。另外，同时还计算出了ΔTj-c(Ave)、结温与外壳温度的差、Tj(Ave)及结温。B也同样表示二极管的仿真结果。C为模块整体的损耗。这些数据可保存为CSV格式。
全SiC模块损耗模拟器可点击这里下载。
其他支持工具
还有其他一些相关的支持工具，具体请点击下列链接了解。

• 全SiC模块评估用栅极驱动板
  
• 内置反激式电源的双通道栅极驱动器参考板
  
• SiC模块评估用缓冲模块
  

关键要点:

・ROHM提供包括全SiC模块损耗模拟器在内的支持工具。
・支持工具有助于全SiC模块的选型和初期探讨。