(SiC功率元器件) 所谓全SiC功率模块

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从本文开始进入新的一章。继SiC概要、SiC-SBD（肖特基势垒二极管 ）、SiC-MOSFET之后，来介绍一下完全由SiC功率元器件组成的“全SiC功率模块”。本文作为第一篇，想让大家了解全SiC功率模块具体是什么样的产品，都有哪些机型。之后计划依次介绍其特点、性能、应用案例和使用方法。
何谓全SiC功率模块
ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模块”量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。关于这一点，根据这之前介绍过的SiC-SBD和SiC-MOSFET的特点与性能，可以很容易理解。

目前，ROHM正在量产的全SiC功率模块是二合一型模块，包括半桥型和升压斩波型两种。
另外产品阵容中还有搭载NTC热敏电阻的产品类型。
以下整理了现有机型产品阵容和主要规格。1200 V耐压80A～600A的产品种类齐全，400A和600A的两种机型近期刚刚开发出来。产品阵容拥有覆盖IGBT模块市场主要额定电流100 A～600 A的丰富产品。

※还有规格尚未确定的机型，需要详细信息请点击这里。
进步明显的全SiC功率模块
最新的全SiC功率模块采用最新的SiC-MOSFET-（即第三代沟槽结构SiC-MOSFET），以进一步降低损耗。以下为示例。

下一次计划详细介绍全SiC功率模块的特点和优势。

关键要点:

・全SiC功率模块由ROHM自主生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD组成。
・与Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。
・全SiC功率模块正在不断进化，最新产品搭载了最新的第三代SiC-MOSFET。