(SiC功率元器件) 所谓SiC-MOSFET－沟槽结构SiC-MOSFET与实际产品

跳跃的开发板

本章将介绍最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供应的SiC-MOSFET的相关信息。
独有的双沟槽结构SiC-MOSFET
在SiC-MOSFET不断发展的进程中，ROHM于世界首家实现了沟槽栅极结构SiC-MOSFET的量产。这就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。
沟槽结构在Si-MOSFET中已被广为采用，在SiC-MOSFET中由于沟槽结构有利于降低导通电阻也备受关注。
        然而，普通的单沟槽结构由于栅极沟槽底部电场集中而存在长期可靠性相关的课题。针对这类课题，ROHM开发的双沟槽结构通过在源极部分也设置沟槽结构，缓和了栅极沟槽底部的电场集中问题，确保了长期可靠性，从而成功投入量产。
        这款采用双沟槽结构的SiC-MOSFET，与正在量产中的第2代平面型（DMOS结构）SiC-MOSFET相比，导通电阻降低约50%，输入电容降低约35%。
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实际的SiC-MOSFET产品
下面是可供应的SiC-MOSFET一览表。有SCT系列和SCH系列，SCH系列内置SiC肖特基势垒二极管，包括体二极管的反向恢复特性在内，特性得到大幅提升。

一览表中的SCT3xxx型号即第三代沟槽结构SiC-MOSFET。


关键要点:

・ROHM已实现采用独有双沟槽结构的SiC-MOSFET的量产。
・沟槽结构的SiC-MOSFET与DMOS结构的产品相比，导通电阻降低约50%，输入电容降低约35%。