亲爱的小伙伴们,GaN有奖问答的活动再次来临。 本期继续举办关于GaN技术的有奖问答。
第三期获奖:氮化镓(GaN)知识有奖问答获奖名单(第三期)
第四期获奖:氮化镓(GaN)知识有奖问答获奖名单(第四期)
下面是活动的规则以及奖项设置,大家仔细看哈~
活动时间:11.12——11.26
活动规则及奖项设置 本次活动将举办两期,每期小编都会给大家留几个问题,并列出参考资料,答案就在参考文章里。
1.每关四题全对者,将会进行随机抽奖,选取一名获得四轴航拍飞行器。 2.每关答对三题及以上者,将会进行随机抽奖,选取二名获得罗技无线鼠标。 3.每关答对两题及以上者,将会进行随机抽奖,选取三名获得16G手机内存卡。
注:直接回复本帖写出答案即可。
第四期问题如下(已结束)
5.HEG205B型1.2~1.4GHz 20W高效GaN微波功率模块的特性是什么? 答案提示:参考文章一
6.氮化镓的压电性是如何产生的? 答案提示:参考文章二
7.氮化镓场效应管的几何结构方程式? 答案提示:参考文章二
8.氮化镓的横向半导体结构包括哪些? 答案提示: 参考文章二
第三期问题如下,持续一周(已结束) 1.HEG001D型1.2~1.4GHz 20W高效GaN微波功率模块的特性是什么? 答案提示:参考文章一 2.氮化镓(GaN)的熔点为多少? 答案提示:参考文章二
3.碳化硅基氮化镓在射频应用中脱颖而出的原因是什么? 答案提示:参考文章三
4.氮化镓的纵向半导体结构包括哪些? 答案提示:参考文章三
参考文章:
奖品展示
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