本帖最后由 海信飞人 于 2015-5-6 20:05 编辑
写在前面：牛人就别挖苦我啦，写给像我这样的初学者：  ADS虽好用但在IC设置方面存在很多难点，个人发现PDK库就是一个大问题，加上ADS对MOS版图的操作资料极少，我相信能做那也消耗不少人力及时间，如果你是MOS管忠实用户或者使用者，建议cadence，个人是ADS2008用TSMC的PDk(只有模型没有layout其他)也可以动态链接，这些不重要，在ADS中仿真电路，因为它的数据直观和操作强，设置相对cadence来的更快（精确度没有cadence高），大致确定电路之后再到cadence中进行仿真，个人觉得版图是整过IC设置中最难的，可以看看 JacobBaker的资料，老外就是牛。
基本操作： f:全景图 ctrl＋z：放大 shift＋z：缩小 shift＋f：详细版图（非symbol） u：undo w：上一界面 i：调用器件 q：看属性 r：画矩形 p：固定长度的可折线 l：lable 标注端口、电源、地等。所标识的金属层，用该层TEXT层标识。如，M6层金属则选择M6TEXT层。 s:拉伸收缩 Shift＋C：把线断开（注意：先选中线，再操作） Shift＋M: merge（同上，先选中线） k：标尺 shift＋k：取消标尺 器件旋转：q－》选rotate度数－》Apply 对于已选器件：“M“ 左键 右键旋转 g:格点鼠标在各格点移动 一般不用 如果取消，则再按一次“g” shift+x: 进入调用器件的下层 shift＋b：返回上层 F3：在选择了操作命令后，按F3可以显示旋转，宽度调整等被操作器件特性。该键很有用。 Undo默认为一步。若要增加次数，在ICFB窗口的OPTIONS里选择USER PREFERENCES，改变undo次数。
进入虚拟机：
1.进入unit 密码（有时候需要密码，师兄的）2． 界面上右键－》tools－》terminal－》3． 在layout目录（这里与你的PDK库一致）输入icfb 登陆Candenceicfb后面加“ & ”的作用是之后可以继续在Shell窗口操作命令 4． 在icfb窗口 tools－》library manager－》选择library，cell，view。如果是新建，则FILE－》new里面新建。 5．在icfb窗口的tools－》library path 可以加库
版图设置： 新建版图(layout)单元：在CIW窗口中点击菜单FileàNewàCellview；在弹出的对话框中，Library Name选择设计库（自己建的），Cell Name输入版图单元的名字inv，Tool选择Virtuoso，点击OK。弹出编辑窗口和一个图层窗口。如果之前已经创建过，则直接打开版图单元：点击菜单FileàOpen；在弹出的对话框中，Library Name选择库，Cell Names选中inv，View Name选择layout，点击OK。 DRC： 一般都没有文件，都是用assura或者calibre软件代替， 1 启动DRC软件在编辑窗口中点击菜单CalibreàRunDRC，启动版图验证软件Calibre做DRC。假如菜单中没有Calibre，也可以在命令行窗口中输入命令calibre-gui & ，启动Calibre软件，然后点击DRC。弹出如图30所示的DRC窗口和一个调入规则设置存档的对话框，在DRC窗口中点击FileàExit可以退出Calibre软件。
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发表于 2015-5-6 18:04:17
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