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ROHM MOSFET开关芯片RQ3E120ATTBCT-ND在恒温晶振控温电路中的应用

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    发表于 2019-8-5 14:21:06 | 显示全部楼层 |阅读模式
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    5G移动通讯基站需要稳定性更高,更精准的恒温晶振做信号源,为设备提供一个时间基准。才能使5G网络正常的工作。

    本方案采用Silicon Labs的8位MCU EFM8LB,Ricoh的LDO R1191N,圣邦微的运放SGM8210,圣邦微的复位芯片SGM809,ROHM的MOSFET开关RQ3E120ATTBCT-ND等元件构成温度控制电路,保证恒温到85℃。MCU通过NTC采集恒温槽内的实时温度值,当实时温度低于85℃时,MCU的DAC通过控制运放驱动MOSFET开始加热。使恒温槽内石英谐振器的温度稳定在石英谐振器的拐点温度处,从而充分发挥拐点温度附近石英谐振器的频率温度系数最小的特性,以提高频率的稳定度。下面图1是原理框图:

    图1 恒温晶振控温电路原理框图


    这里重点介绍ROHM的MOSFET开关芯片RQ3E120ATTBCT-ND,漏源电压30V,驱动电压4.5V,低导通电阻8.0mΩ,2W大功率,通过开关转换吸合产生热量给恒温槽提供85℃恒温。小封装(HSMT8)3.2mm*3mm,满足小体积的设计要求。无铅电镀,符合RoHS标准,无卤素更环保。


    下面是RQ3E120ATTBCT-ND芯片内部电路图:

    图2  RQ3E120ATTBCT-ND芯片内部电路图


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    发表于 2019-8-5 15:20:30 | 显示全部楼层
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    发表于 2019-8-5 15:21:26 | 显示全部楼层
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     楼主| 发表于 2019-8-6 09:17:28 | 显示全部楼层

    谢谢回复
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