功率半导体如何解决并联军流技术的电流平衡度问题?

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　　功率半导体如何解决并联军流技术的电流平衡度问题?以往对功率半导体器件并联均流技术的研究多半是由整机装置厂进行的。这种研究方式要求的电流容量要么太大，要么是装置可靠性高，并且不允许中途停电等，因此都必须采用多个器件并联的方式。并联均流技术主要解决的是电流平衡度的问题，即：

　　1）要求并联器件同时触发开通；

　　2）要求电流上升或下降时的电流平衡度；

　　3）解决正常导通时的电流平衡度，这是并联均流的主要部分；

　　4）必须认真解决好母线、器件、柜体配置及相应磁场对电流平衡度的影响。

　　一般情况下，由装置整机厂给出的处理并联均流的主要方法如下。

　　1）采用宽（如100 滋s）、陡（如dIg/dt>1 A/滋s）、高幅（如实际给定的触发电流IGM>5IGT）门极脉冲，保证了触发开通一致，这样动态均流问题基本解决，剩下的就是解决稳态均流问题。

　　2）强迫均流方法一，串联附加电阻器均流，方法简单，适宜小功率应用。

　　3）强迫均流方法二，串联附加电感均流，适宜大中功率，特别是中频应用。

　　4）强迫均流方法三，通过均流互感器（或均衡变压器单独绕组）均流，这是普遍采用的比较好的强迫均流方法。

　　这三种强迫均流方法都是以增加功耗、体积、重量和造价为前提来达到均流效果的措施，其中的强迫均流方法三为现在普遍采用并保留的方法。

　　5）要求各并联器件门槛电压低，这个要求是合理的，因为初始电流导通时的压降比门槛电压仅大零点几伏，如果门槛电压过大就有可能没有电流流过，这就更谈不到均流了。

　　6）匹配小电流区的通态伏安特性，这是必要的，是对5）所要求的进一步的匹配。

　　7）强烈希望器件厂家给出器件匹配，但提不出明确要求。

　　以上经验尽管还在发展中，但已是很宝贵的了，它集中体现在国际整流二极管标准5.10.1.2中“为在并联联结中得到合适的电流分配，可采用下列一种或多种方法：

　　1）制造厂匹配好正向特性；

　　2）每只二极管上串联附加的电阻或电抗；

　　3）使各变压器均衡或各变压器单独绕组；

　　4）将器件安装在一个公共的散热器上，以使温度均匀。

　　其中第一项就是直接均流技术。结合负温度特性器件不适合并联的特征，经多年研究和现场试验，尝试着给出以下功率半导体器件的直接均流技术。
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