MOSFET场效应管

木文一刀

MOSFET是场效应管
    1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。
    2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
    3、场效应管可以用作可变电阻。
    4、场效应管可以方便地用作恒流源。
    5、场效应管可以用作电子开关。
场效应管的主要参数
　　1、夹断电压VP
　　当VDS为某一固定数值，使IDS等于某一微小电流时，栅极上所加的偏压VGS就是夹断电压VP。
　　2、饱和漏电流IDSS
　　在源、栅极短路条件下，漏源间所加的电压大于VP时的漏极电流称为IDSS。
　　3、击穿电压BVDS
　　表示漏、源极间所能承受的最大电压，即漏极饱和电流开始上升进入击穿区时对应的VDS。
　　4、直流输入电阻RGS
　　在一定的栅源电压下，栅、源之间的直流电阻，这一特性有以流过栅极的电流来表示，结型场效应管的RGS可达1000000000欧而绝缘栅场效应管的RGS可超过10000000000000欧。
　　5、低频跨导gm
　　漏极电流的微变量与引起这个变化的栅源电压微数变量之比，称为跨导，即
　　gm= △ID/△VGS
　　它是衡量场效应管栅源电压对漏极电流控制能力的一个参数，也是衡量放大作用的重要参数，此参灵敏常以栅源电压变化1伏时，漏极相应变化多少微安（μA/V）或毫安（mA/V）来表示

筱禾

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撒有那拉迅哥

MOSFET场效应管
很有意思的东西啊！