大功率IGBT器件的积极散热与吸收电路

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大功率IGBT器件的积极散热与吸收电路：igbt 在开通过程中，大部分时间是作为mosfet 来运行的，只是在集射电压vce 下降过程后期，pnp 晶体管由放大区至饱和区，增加了一段延缓时间，使vce 波形被分为两段。igbt在关断过程中，mosfet 关断后，pnp 晶体管中的存储电荷难以迅速消除，使集电极电流波形变为两段，造成集电极电流较大的拖尾时间。

    开通关断时间的延迟会增加开关损耗，并且，每开通关断一次损耗就会累加，如果开关频率很高，损耗就会很大，除了降低逆变器的效率以外，损耗造成的最直接的影响就是温度升高，这不仅会加重igbt 发生擎住效应的危险，而且，会延长集电极电流的下降时间和集射电压的上升时间，引起关断损耗的增加。显然，这是一个恶性循环，因此，为igbt 提供良好的散热条件是有效利用器件，减少损耗的主要措施。除了正确安装散热器外，安装风扇以增强空气流通，可以有效的提高散热效率。

    吸收电路，又称缓冲电路。它利用无源器件通过参数匹配使主开关管工作于零电压或零电流状态，达到抑制电力电子器件的关断时过电压、开通时过电流，减小器件的开关损耗的目的。吸收电路一般分为两类:

    (1) 吸收电路中储能元件的能量如果消耗在其吸收电阻上，称其为耗能式吸收电路;

    (2) 若吸收电路能够将其储能元件的能量回馈给负载或电源，称其为能量回馈型吸收电路，或称为无损吸收电路。

    传统的耗能式吸收电路把能量通过电阻泄放，主管开关损耗的降低以额外吸收损耗的增加为代价，而无损吸收技术能够将储能元件中的能量回馈至电源、负载或大幅削减其数值，大大增加吸收强度，达到软开关目的。
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