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使用IGBT时损坏的主要原因及解决对策

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发表于 2011-4-14 18:31:39 | 显示全部楼层 |阅读模式
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使用IGBT时损坏的主要原因及解决对策:UPS在使用过程中,经常受到容性或感性负载的冲击、过负荷甚至负载短路等,以及UPS的误操作,可能导致IGBT损坏。IGBT 在使用时的损坏原因主要有以下几种情况:

    1. 过电流损坏;

    IGBT有一定抗过电流能力,但必须注意防止过电流损坏。IGBT 复合器件内有一个寄生晶闸管,所以有擎住效应。IGBT 的等效电路,在规定的漏极电流范围内,NPN 的正偏压不足以使NPN 晶体管导通,当漏极电流大到一定程度时,这个正偏压足以使NPN 晶体管开通,进而使NPN 和PNP 晶体管处于饱和状态,于是寄生晶闸管开通,门极失去了控制作用,便发生了擎住效应。IGBT 发生擎住效应后,漏极电流过大造成了过高的功耗,最后导致器件的损坏。

    2. 过电压损坏;

    IGBT在关断时,由于逆变电路中存在电感成分,关断瞬间产生尖峰电压,如果尖峰电压过压则可能造成IGBT 击穿损坏。

    3. 桥臂共导损坏;

    4. 过热损坏和静电损坏。

    IGBT 损坏的解决对策

    1. 过电流损坏

    为了避免IGBT 发生擎住效应而损坏,电路设计中应保证IGBT 的最大工作电流应不超过IGBT 的IDM 值,同时注意可适当加大驱动电阻RG延长关断时间,减小IGBT 的di/dt。驱动电压的大小也会影响IGBT 的擎住效应,驱动电压低,承受过电流时间长,IGBT 必须加负偏压,IGBT 生产厂家一般推荐加-5V 左右的反偏电压。在有负偏压情况下,驱动正电压在10—15V 之间,漏极电流可在5~10μs 内超过额定电流的4~10 倍,所以驱动IGBT 必须设计负偏压。由于UPS负载冲击特性各不相同,且供电的设备可能发生电源故障短路,所以在UPS 设计中采取限流措施进行IGBT的电流限制也是必须的,可考虑采用IGBT 厂家提供的驱动厚膜电路。

    短路保护方法:首先检测通态压降Vce,如果Vce 超过设定值,保护电路马上将驱动电压降为8V,于是IGBT 由饱和状态转入放大区,通态电阻增大,短路电路减削,经过4us 连续检测通态压降Vce,如果正常,将驱动电压恢复正常,如果未恢复,将驱动关闭,使集电极电流减为零,这样实现短路电流软关断,可以避免快速关断造成的过大di/dt 损坏IGBT,当发生过电流,10us 内将IGBT 的启动电压减为9V,配合M57160AL 驱动厚膜电路可以快速软关断保护IGBT。

    2. 过电压损坏

    防止过电压损坏方法有:优化主电路的工艺结构,通过缩小大电流回路的路径来减小线路寄生电感;适当增加IGBT驱动电阻Rg 使开关速度减慢(但开关损耗也增加了);设计缓冲电路,对尖峰电压进行抑制。用于缓冲电路中的二极管必须是快恢复的二极管,电容必须是高频、损耗小,频率特性好的薄膜电容。

    3. 桥臂共导损坏

    在UPS中,逆变桥同臂支路两个驱动必须是互锁的,而且应该设置死区时间(即共同不导通时间)。如果发生共导,IGBT 会迅速损坏。在控制电路应该考虑到各种运行状况下的驱动问题控制时序问题。

    4. 过热损坏

    可通过降额使用,加大散热器,涂敷导热胶,强制风扇制冷,设置过温度保护等方法来解决过热损坏的问题。
本文来自      http://www.glspower.org/c598.html
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