使用低压差稳压器时应注意的12事项

glsheng

　　⑴ 使用低压差线性稳压器时不得超过芯片的最高输入电压（UIM）、最大功耗（PDM）、最高结温（TjM）等极限参数值。最大功耗PDM＝（UIM－UO）IOM。一般讲，芯片的封装尺寸越小，功耗越低。
　　⑵ 输入电压必须大于预期的输出电压与输入-输出压差之和，即UI＞UO＋ΔU，否则低压差线性稳压器无法正常工作。
　　⑶ 为延长电池使用寿命，应选择相对于负载电流而言，静态电流IQ较小的LDO。例如，为使IQ只增加0.02％的电池消耗，在100mA负载电流的情况下，采用IQ＝200μA的VLDO比较合理。需要注意在数据表中是如何对IQ规定的。某些器件是在室温条件下规定的，或只提供IQ与温度关系的典型曲线。必要时可实测IQ值。
　　⑷ 输出电压的精度亦称允许偏差。线性稳压器的输出电压精度一般不超过额定值的±5%。对大多数应用而言，该精度已经足够了。有的新型稳压器通过对芯片进行激光修正，可使输出电压的精度达到±2%，甚至更高的指标。
　　⑸ 由于输出电容是用来补偿LDO的，因此在选择输出电容器时应格外仔细。一般情况下，采用等效串联电阻（ESR）较低的大电容器，可提高电源抑制比，降低噪声电压并改善瞬态响应。但ESR过高或过低，也可能造成振荡。例如，1μF以上的大容量陶瓷电容器，ESR通常会很低（＜20mΩ），这几乎会使所有的LDO产生振荡。为避免发生振荡，可在陶瓷电容器上串联一只小电阻以增加ESR。若ESR过大，则LDO可能工作不稳定。ESR与温度有关，当温度低于10℃时ESR增加较快。铝电解电容器在低温时的ESR会显著增大，例如当温度从20℃降至－40℃时，铝电解电容器的ESR典型值可增加60～70倍，因此它不适合用作PNP型LDO的输出电容。推荐采用陶瓷电容器或钽电容器。陶瓷电容器的优点是价格低廉，ESR很低（约为10mΩ数量级），基本上不随温度而变化，故障模式一般为断路。钽电容器的漏电流小，高频特性及低温特性好，ESR约为100mΩ数量级，故障模式一般为短路，其价格较高，适用于VLDO。
　　⑹ 手机、MP3、游戏机及多媒体PDA等便携式设备，适配300～500mA的LDO。为获得良好的音频质量，这种LDO在20Hz～20kHz的音频范围内应具有噪声电压低、电源抑制比（PSRR）很高的特性。
　　⑺ 为满足精密电子设备的供电要求，应尽量减小LDO的输出噪声。LDO的输出噪声主要来源于基准电压电路，它所产生的噪声经过放大后送至输出端。影响LDO输出噪声的其他因素还有LDO内部放大器的极点、零点和输出极点，外部输出电容的容量、输出电容的等效串联电阻（ESR）及负载值。为降低基准噪声，可在基准电压的输出端增加一级低通滤波器。某些低噪声LDO芯片专门设置一个基准电压引脚BP（Bypass），用于接旁路电容。旁路电容可选470pF～0.01μF的陶瓷电容。容量过大，在上电时对LDO输出电压上升的速率会产生影响。旁路电容量越大，输出电压的上升速率越慢。
　　⑻ 在查阅LDO的产品资料时，应注意所给出精度指标是在室温下，还是在整个工作温度范围内，是满载条件下还是在中等负载或空载条件下。
　　⑼ LDO有多种压差数据，应区分轻载、中等负载、满载条件下的压差最小值、典型值和最大值。满载条件下压差的最大值最具有实际意义，设计时应以此为依据，确保低压差线性稳压器在最坏的情况下仍能正常工作。
　　⑽ 使用LDO时，需要装合适的散热器，以便将芯片内部产生的热量及时散发出去，避免因散热不良二导致管芯温度超过最高结温，使LDO无法正常工作，甚至损坏芯片。采用TO-220等封装的LDO可选择叉指式或筋片式成品散热器；采用表面贴片式封装的小型化LDO，可利用单面印刷电路板上的铜箔制成散热器。
　　⑾ 由LDO构成PC主板电源时必须具有良好的瞬态响应，以利于推动高速变化的负载，确保输出电压保持稳定。
　　⑿ 利用低压差线性稳压器专用设计软件（例如美国Micrel半导体公司开发的免费设计软件LDO-It），可实现LDO的优化设计。
本文来自     http://www.glsheng.net/newsview.asp?ID=525