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[资料] 晶体管放大电路的非杂散频率响应

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    [LV.1]初来乍到

    发表于 2019-7-19 15:34:17 | 显示全部楼层 |阅读模式
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    本节学习由电路中的实体电容(实体电感)引起的晶体管放大电路频率响应,它有别于器件杂散电容(电感)引起的频率响应。因此,本节暂称为非杂散频率响应。
    影响晶体管放大电路频率响应的因素
    图Section5〇-l是一个最简单的NPN管放大电路。它含有输入耦合电容输出耦合电容C1 ,输出电容C2 ,它们都起到了阻断低顷、通过高频的作用,比如10Hz以下的信号被大幅度衰减, 这是下限截止频率fL。而负载电阻上并联的实体电容CL,则起到了短路吸收(阻断)高频、通过低频左右,比如100khz以上的信号被大幅度衰减,此为上限截止频率fh。 1.jpg
    如果电路中没有隔直电容C1和C2,该电路就属于直流放大器,因此就不存限截止 频率,或者说fL=〇Hz。

    如果电路中没有旁路电容CL,看似就没有吸收(阻断)高频的作用了,似乎上限截止 频率就可以是无穷大了。其实不然。首先,晶体管内部高频模型中(见图Section46-2 ), 存在3个结电容,它们的存在会降低放大电路的增益;其次,任何两个导体节点之间,也 存在杂散电容。这些都会导致整个放大电路,在面对高频信号输入时,呈现放大倍数的逐渐下降,产生了上限截止频率。
    因此,影响放大电路下限截止频率的关键,是电路中的隔直电容;影响晶体管放大电 路上限截止频率的关键,是电路中的旁路电容,如果没有旁路电容,则要看晶体管的高频等效模型。利用晶体管的高频等效模型,可以分析出上限截止频率,但这部分内容较为复 杂,本书不介绍。

    本节任务是求解该电路的下限截止频率fL—由隔直电容引起,以及上限截止频率 fn——由旁路电容引起。依据Section46~Section49的知识储备,可以很快获得分析结论。
    永不见面的隔直电容和旁路电容
    隔直电容是串联于信号链路中的,而旁路电容通常并联于负载两端。当两种电容共存 于电路中时,电路分析会变得复杂。为了简化分析,通常在分析下限截止频率时,只考虑隔直电容,而将旁路电容视为开路。而在分析上限截止频率时,只考虑旁路电容,而将隔 直电容视为短路。它们俩,就像永不见面的太阳和月亮,绝不同时出现在一个分析电路中。

    原因在于,隔直电容通常比旁路电路大得多,因此在相同信号频率下,隔直电容的容

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