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第一，在输入和输出两个晶体管的c、e压降相等的情况下，输出电流是输入电流的ß/( ß+ 2)倍，它不是1倍，且与ß相关。这个缺点，对MOSFET组成的电流镜来说，是不 存在的。 第二，输出电流与输出晶体管c、e压降密切相关，压降越大，输出电流越大。这个缺 点对任何可电流镜来说，都是致命的。一般来说，电流镜的输出具有固定的电压源，如图 Section35-2中的£c ,当负载电阻接入后，如果保持输出恒流，那么负载变大时，负载两 端的压降就增加了，留给电流镜输出端集电极和发射极之间的压降就会变小，客观上导致实际的输出电流也就变小了，难以做到始终恒流。 三晶体管威尔逊电流镜 如何改进前述的双晶体管电流镜，以克服上述缺点？ 1967年，美国的George R. Wilson (威尔逊）和Barrie Gilbert,两位Tektronix公司的设计师，为此进行了挑战。威尔 逊熬了一个通宵，给出了如图Secti〇n37-l所示的电路结构一后人称之为威尔逊电流源 或者威尔逊电流镜~~赢得了挑战（信息来自维基百科）
威尔逊电流镜的核心改进是增加了第三个晶体管03。通过的作用，第一，保证了 Q1和Q2两个晶体管的UCEQ非常接近，Q1是1.4V , Q2是0.7V ,图中可以清晰显示这个结 果。这几乎克服了前述电流镜的缺点二，很大程度上减小了 Early效应对电流镜的影响。这 是最为核心、的一点，我估计威尔逊首先想到的，应该是这个结果。第二，通过电流计算， 可以得SI在不考虑Early效应的清况下，输入输出电流比，也更为接近于1。计算如下： 各支路电流如图所示
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发表于 2019-7-11 17:11:04
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