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SectionZ NPN型晶体管的伏安特性

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    [LV.1]初来乍到

    发表于 2019-6-26 18:23:36 | 显示全部楼层 |阅读模式
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    本帖最后由 跳跃的开发板 于 2019-6-26 18:24 编辑

    描述一个电学器件的特性,最直观的方法就是了解其伏安特性。所谓的伏安特性,是 指横轴为电压、纵轴为电流的一组测试记录。
    晶体管有三个脚,怎么用伏安特性描述它呢?科学家一般通过两个伏安特性来展示晶 体管的特征,即输入伏安特性,以及输出伏安特性。
    输入伏安特性
    晶体管的输入伏安特性,是指基极电流iB与发射结电Ube之间的关系可能受到UCE的影响。
    将晶体管按照图SeCtin2-l连接。将 uCe设为5V ,改变uBE ,测量基极电流/B,即可得到基极电流/BuBE的关系,为图 Section2-2所示的一根曲线。将uCE从5V 开始,每次降低IV ,即可得到多根曲线。发现,除uCE=OV比较特殊之外,其余的曲 线基本上是重合的——称为一簇线。 3.jpg 4.jpg 12.jpg 4.jpg
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