Nexys3学习笔记（三）——添加SRAM存储器

Pollux

对于一个嵌入式系统，存储器无疑是非常重要的。Nexys3上有3种存储器：sram，并行Flash（非易失性相变存储器），串行flash（非易失性相变存储器）。为了简单起见，首先学习下如何往系统里添加SRAM。
Nexys3采用的是Micron公司的128Mbits Celluar Ram MT45W8MW16BGX，可以配置成同步和异步模式，具体可以参考器件手册，主要关心接口和时间参数。
还是打开前面建立好的系统，发现Nexsy3它自动生成一个定制IP核：mem_bus_mux，它主要是作为存储器的地址、数据、控制信号的多路选择用的。

FPGA于存储器的信号连接如下

所以主要工作就是添加一个存储器控制IP。在IP catalog栏下找到外部存储器控制IP——XPS Multi-Channel External Memory Controller。首先设置

注意Nexys3上存储器数据宽度是16位的，接下来主要是时间参数，这一部分必须参考SRAM器件手册，否则可能访问不正确。访问模式设置为异步Asynchronous

接下来要将添加IP核信号连接起来

因为只添加了SRAM，所以暂时只是连接了与SRAM控制器的连线。最后要设置sram的地址范围，nexys3上sram有16MB空间。

此时还不算完成，sram配制成了异步模式，从电路图上可以看到FPGA到SRAM有一些控制信号还没有定义，需在.mhs文件中添加端口。

编译产生流文件，然后导入到EDK中。
在EDK软件下，选择File->New->Xilinx C Project,选择程序自带的memory test，生成一个基本的memory测试程序。

下载硬件平台Xilinx Tools->program FPGA。运行memory_test_0.elf文件，程序开始运行。串口能监视结果

至此SRAM算是添加到嵌入式的系统了。
在EDK下选择Run->Debug,进入了debug界面。

在下方Memory窗口添加一个监视窗口，地址选择Sram基地址0x85000000

可以看到在存储器中的内容，测试程序向存储器中填满了数据a5a5a5a5。

小结:
学习了往系统中添加了SRAM存储器，需要注意的是设置IP参数时一定要参考sram芯片的时间参数，这是能正确访问存储器的前提。EDK也有Debug的功能，调试软件不可缺少。下一步把Nexys3的所有外部存储器都添加进去了。
参考链接:https://www.xilinx.com/support/documentation/spartan-6.htm[url=https://www.digilentinc.com/Products/Detail.cfm?NavPath=2,400,897&amprod=NEXYS3]https://www.digilentinc.com/Products/Detail.cfm?NavPath=2,400,897&amprod=NEXYS3[/url]https://www.microchip.com/wwwproducts/Devices.aspx?dDocName=en531074