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[经验] ADS下CMOS低噪声放大器的设计优化

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发表于 2022-10-8 10:56:04 | 显示全部楼层 |阅读模式
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摘 要 :运用仿真工具 ADS ,通过对 CMOS 共源共栅低噪声放大器的共源级栅宽 ,源级电感以及栅极电感值的扫描仿真 ,以 Smith 阻抗圆图的形式给出了一个直观的 LNA 设计优化流程 ,近似实现了最佳噪声源阻抗和输入阻抗的同时匹配。按照该方法设计的基于 0. 18μm CMOS 工艺 ,工作在 1. 58 GHz 的低噪声放大器 ,其噪声系数为 1. 3 dB ,S11 为 - 28. 4 dB ,功耗为 3. 42 mW ,从而很好地证实了该方法的可行性。

ADS下CMOS低噪声放大器的设计优化.pdf

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