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产品介绍
Infineon Technologies CoolGaN™氮化镓HEMT
制造商：Infineon Technologies
Infineon CoolGaN™氮化镓HEMT具有诸多优势，包括超高效率、可靠性、功率密度以及相对于硅的极高质量。CoolGaN晶体管采用极为可靠的技术，设计用于实现开关模式电源中的超高效率和功率密度。这些器件的工作方式类似于采用p-GaN栅极结构以及增强模式栅极驱动偏置的传统硅MOSFET。
Infineon CoolGaN质量出众，非常适合用于硬开关和软开关拓扑结构。CoolGaN支持针对PFC来调整更简单的半桥拓扑，包括消除有损输入桥式整流器。CoolGaN HEMT可为功率半导体器件提供更高的临界电场，从而实现出色的高速开关。
产品规格
| 产品属性 | 属性值 | 产品属性 | 属性值 |
|---|---|---|---|
| 制造商 | Infineon | 配置 | Single |
| 产品种类 | MOSFET | 通道模式 | Enhancement |
| 技术 | GaN | 商标名 | CoolGaN |
| 安装风格 | SMD/SMT | 封装 | Cut Tape |
| 封装 / 箱体 | PG-LSON-8 | 封装 | Reel |
| 通道数量 | 1 Channel | 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| 晶体管极性 | N-Channel | 商标 | Infineon Technologies |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V | 下降时间 | 13 ns |
| Id-连续漏极电流 | 15 A | HTS Code | 8541290095 |
| Rds On-漏源导通电阻 | 70 mOhms | 产品类型 | MOSFET |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 0.9 V | 上升时间 | 9 ns |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 10 V | 工厂包装数量 | 3000 |
| Qg-栅极电荷 | 5.8 nC | 子类别 | MOSFETs |
| 最小工作温度 | - 55 C | 典型关闭延迟时间 | 15 ns |
| 最大工作温度 | + 150 C | 典型接通延迟时间 | 15 ns |
| Pd-功率耗散 | 114 W | 零件号别名 | SP001705420 |
