PFC

加入交流群
扫码加入
获取工程师必备礼包
参与热点资讯讨论

功率因数校正,改善电网功率因数的措施。电感性负载或电容性负载使电网的功率因数小于1,过小的功率因数浪费了供电设备的容量,因而需要校正。

功率因数校正,改善电网功率因数的措施。电感性负载或电容性负载使电网的功率因数小于1,过小的功率因数浪费了供电设备的容量,因而需要校正。收起

查看更多

电路方案

查看更多

设计资料

查看更多
  • MDD超快恢复二极管的典型失效模式分析 如何避免过热与短路
    MDD超快恢复二极管因其反向恢复时间短、开关损耗低的特性,广泛应用于高频开关电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电路及新能源领域。然而,在实际应用中,超快恢复二极管可能因不合理的电路设计或使用环境导致失效,常见的失效模式主要包括过热失效和短路失效。 1.过热失效及其规避措施 过热失效通常是由于功率损耗过大、散热不良或工作环境温度过高导致的。主要成因包括: 正向导通损耗:当二极管导通时,流经器件
  • SiC MOSFET 如何提高 AI 数据中心的电源转换能效
    作者:安森美产品线经理 Wonhwa Lee 如今所有东西都存储在云端,但云究竟在哪里? 答案是数据中心。我们对图片、视频和其他内容的无尽需求,正推动着数据中心行业蓬勃发展。 国际能源署 (IEA) 指出,人工智能 (AI) 行业的迅猛发展正导致数据中心电力需求激增。预计在 2022 年到 2025 年的三年间,数据中心的耗电量将翻一番以上。 这不仅增加了运营成本,还给早已不堪重负的老旧电力基础设
    SiC MOSFET 如何提高 AI 数据中心的电源转换能效
  • MDD超快恢复二极管vs 普通整流二极管 核心参数对比与应用
    在整流电路中,二极管的选择至关重要,直接影响电源系统的转换效率、开关损耗和可靠性。常见的MDD整流二极管包括普通整流二极管和超快恢复二极管。两者在恢复时间、正向压降、功率损耗等方面存在显著差异,适用于不同的应用场景。 1.核心参数对比 从上表可以看出,超快恢复二极管的反向恢复时间(trr)极短,可以显著减少反向恢复损耗,使其在高频开关电源、PFC(功率因数校正)、逆变器等高效能电路中更具优势。而普
  • 驱动电路设计(七)——自举电源在5kW交错调制图腾柱PFC应用
    从设计上看,这是一个很好的工业应用案例,涉及自举电路用在中功率驱动和工频50Hz的驱动中的应用。
    916
    03/25 10:50
    驱动电路设计(七)——自举电源在5kW交错调制图腾柱PFC应用
  • Vishay推出多款采用工业标准SOT-227封装的650 V和1200 V SiC肖特基二极管
    40 A至240 A双二极管和单相桥式器件正向压降低至1.36 V,QC仅为56 nC 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出16款采用工业标准SOT-227封装的新型650 V和1200 V 碳化硅(SiC)肖特基二极管。这些Vishay半导体器件旨在为高频应用提供高速和高效率,在同类二极管中,它们在电容电荷(Qc)和正向压
    489
    02/27 08:15
    Vishay推出多款采用工业标准SOT-227封装的650 V和1200 V SiC肖特基二极管